Degradation of semiconductordevices: non-destructive diagnostics

Abstract

Наведено огляд механізмів деградаційних процесів у напівпровідниках та експериментальних даних про деградаційні явища у напівпровідникових приладах оптоелектроніки. Представлено неруйнівні методи діагностики деградаційних процесів,що базуються на аналізі електричних і світлових характеристик та поляризації випромінювання в різних діелктричних середовищах, випромінюванні просторового розподілу випромінювання та фоточутливості, аналізі високочастотного спектру шумів. Проведен обзор механизмов деградационных процессов в полупроводниках и экспериментальных данных о деградационных явлениях в полупроводниковых приборах оптоэлектроники. Представлены неразрушающие методы диагностики деградационных процессов, основанные на анализе электрических и световых характеристик и поляризации излучения в различных диалектических средах, измерении пространственного распределения излучения и фоточувствительности, анализе низкочастотного спектра шумов. General insight into mechanisms of degradation process in semiconductors is given, as well assome of experimental data on degradation phenomena in in optoelectronic semiconductor devices. Non-destructive techniques for diagnostics of degradation process are presented, based on analysis of electrical and light output characteristics, as well as polarization of emission in different dielectric mediums, measurements of spatial distributions of emission and photosensivity, analysis of low-frequency noise spectrum.