Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/4758
Назва: Неоднородность приповерхностных слоев гетерогенных систем после термической обработки
Інші назви: Неоднорідністьть приповерхневих шарів гетерогенних систем після термічного відпалу
Ingomogeneityin near-surface layers of heterogeneous systems after thermal processing
Автори: Терлецкая, Л. Л.
Копыт, Николай Харламович
Калиниченко, Л. Ф.
Терлецька, Л. Л.
Копит, М. Х.
Калініченко, Л. Ф.
Голубцов, Вячеслав Васильевич
Terletskaya, L. L.
Kopyt, Mykola Kh.
Kalinichenko, L. F.
Golubtsov, B. B.
Бібліографічний опис: Физика аэродисперсных систем: межвед.научный сборник / Одесский национальный университет имени И.И. Мечникова. - Одесса, 2012
Дата публікації: 2012
Видавництво: Одесский национальный университет им. И. И. Мечникова
Ключові слова: слоистая неоднородность
арсенида галлия
термический отжиг
процесс жидкофазной эпитаксии
малонапряженные эпитаксиальные структуры
шарувата неоднорідність
арсеніду галлію
відпал
процес рідкофазової enimakciï
малонапруженні епітаксичні структури
layered inhomogeneity
semi-insulating GaAs substrates
thermal processing
LPE is established
nonstrained epitaxial structures
Серія/номер: ;Вып. 49; С. 27-30
Короткий огляд (реферат): Установлена существенная слоистая неоднородность в приповерхностных областях полуизолирующего арсенида галлия после термического отжига при температурах, близких процессу жидкофазной эпитаксии. Показаны возможности оптимизации параметров подложек для получения на их основе малонапряженных эпитаксиальных структур с улучшенными функциональными свойствами.
Визначено суттєву шарувату неоднорідність у приповерхневих областях пластин напівізолюючого арсеніду галлію nicля відпалy при температурах, близьких до процесу рідкофазової enimakciï. Показано можливість оптимізації napaмempiв підкладинок для отримання на ïx ocнoвi малонапруженних епітаксичних структур з покращеними функціональними властивостями.
Considerable layered inhomogeneity in the near-surface region of semi-insulating GaAs substrates after thermal processing at the temperature LPE is established. The possibility of substrates parameters optimization is shown to obtain nonstrained epitaxial structures with improved functional properties.
Опис: Физика аэродисперсных систем: межвед. научный сборник / Одесский национальный университет имени И.И. Мечникова. - Одесса, 2012
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/4758
Розташовується у зібраннях:Фізика аеродисперсних систем

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
27-30а.pdf313.75 kBAdobe PDFЕскіз
Переглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.