Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/4758
Назва: | Неоднородность приповерхностных слоев гетерогенных систем после термической обработки |
Інші назви: | Неоднорідністьть приповерхневих шарів гетерогенних систем після термічного відпалу Ingomogeneityin near-surface layers of heterogeneous systems after thermal processing |
Автори: | Терлецкая, Л. Л. Копыт, Николай Харламович Калиниченко, Л. Ф. Терлецька, Л. Л. Копит, М. Х. Калініченко, Л. Ф. Голубцов, Вячеслав Васильевич Terletskaya, L. L. Kopyt, Mykola Kh. Kalinichenko, L. F. Golubtsov, B. B. |
Бібліографічний опис: | Физика аэродисперсных систем: межвед.научный сборник / Одесский национальный университет имени И.И. Мечникова. - Одесса, 2012 |
Дата публікації: | 2012 |
Видавництво: | Одесский национальный университет им. И. И. Мечникова |
Ключові слова: | слоистая неоднородность арсенида галлия термический отжиг процесс жидкофазной эпитаксии малонапряженные эпитаксиальные структуры шарувата неоднорідність арсеніду галлію відпал процес рідкофазової enimakciï малонапруженні епітаксичні структури layered inhomogeneity semi-insulating GaAs substrates thermal processing LPE is established nonstrained epitaxial structures |
Серія/номер: | ;Вып. 49; С. 27-30 |
Короткий огляд (реферат): | Установлена существенная слоистая неоднородность в приповерхностных областях полуизолирующего арсенида галлия после термического отжига при температурах, близких процессу жидкофазной эпитаксии. Показаны возможности оптимизации параметров подложек для получения на их основе малонапряженных эпитаксиальных структур с улучшенными функциональными свойствами. Визначено суттєву шарувату неоднорідність у приповерхневих областях пластин напівізолюючого арсеніду галлію nicля відпалy при температурах, близьких до процесу рідкофазової enimakciï. Показано можливість оптимізації napaмempiв підкладинок для отримання на ïx ocнoвi малонапруженних епітаксичних структур з покращеними функціональними властивостями. Considerable layered inhomogeneity in the near-surface region of semi-insulating GaAs substrates after thermal processing at the temperature LPE is established. The possibility of substrates parameters optimization is shown to obtain nonstrained epitaxial structures with improved functional properties. |
Опис: | Физика аэродисперсных систем: межвед. научный сборник / Одесский национальный университет имени И.И. Мечникова. - Одесса, 2012 |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/4758 |
Розташовується у зібраннях: | Фізика аеродисперсних систем |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
27-30а.pdf | 313.75 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.