Неоднородность приповерхностных слоев гетерогенных систем после термической обработки

Ескіз
Дата
2012
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одесский национальный университет им. И. И. Мечникова
Анотація
Установлена существенная слоистая неоднородность в приповерхностных областях полуизолирующего арсенида галлия после термического отжига при температурах, близких процессу жидкофазной эпитаксии. Показаны возможности оптимизации параметров подложек для получения на их основе малонапряженных эпитаксиальных структур с улучшенными функциональными свойствами.
Визначено суттєву шарувату неоднорідність у приповерхневих областях пластин напівізолюючого арсеніду галлію nicля відпалy при температурах, близьких до процесу рідкофазової enimakciï. Показано можливість оптимізації napaмempiв підкладинок для отримання на ïx ocнoвi малонапруженних епітаксичних структур з покращеними функціональними властивостями.
Considerable layered inhomogeneity in the near-surface region of semi-insulating GaAs substrates after thermal processing at the temperature LPE is established. The possibility of substrates parameters optimization is shown to obtain nonstrained epitaxial structures with improved functional properties.
Опис
Физика аэродисперсных систем: межвед. научный сборник / Одесский национальный университет имени И.И. Мечникова. - Одесса, 2012
Ключові слова
слоистая неоднородность, арсенида галлия, термический отжиг, процесс жидкофазной эпитаксии, малонапряженные эпитаксиальные структуры, шарувата неоднорідність, арсеніду галлію, відпал, процес рідкофазової enimakciï, малонапруженні епітаксичні структури, layered inhomogeneity, semi-insulating GaAs substrates, thermal processing, LPE is established, nonstrained epitaxial structures
Бібліографічний опис
Физика аэродисперсных систем: межвед.научный сборник / Одесский национальный университет имени И.И. Мечникова. - Одесса, 2012
DOI
ORCID:
УДК