Please use this identifier to cite or link to this item:
http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/4758
Title: | Неоднородность приповерхностных слоев гетерогенных систем после термической обработки |
Other Titles: | Неоднорідністьть приповерхневих шарів гетерогенних систем після термічного відпалу Ingomogeneityin near-surface layers of heterogeneous systems after thermal processing |
Authors: | Терлецкая, Л. Л. Копыт, Николай Харламович Калиниченко, Л. Ф. Терлецька, Л. Л. Копит, М. Х. Калініченко, Л. Ф. Голубцов, Вячеслав Васильевич Terletskaya, L. L. Kopyt, Mykola Kh. Kalinichenko, L. F. Golubtsov, B. B. |
Citation: | Физика аэродисперсных систем: межвед.научный сборник / Одесский национальный университет имени И.И. Мечникова. - Одесса, 2012 |
Issue Date: | 2012 |
Publisher: | Одесский национальный университет им. И. И. Мечникова |
Keywords: | слоистая неоднородность арсенида галлия термический отжиг процесс жидкофазной эпитаксии малонапряженные эпитаксиальные структуры шарувата неоднорідність арсеніду галлію відпал процес рідкофазової enimakciï малонапруженні епітаксичні структури layered inhomogeneity semi-insulating GaAs substrates thermal processing LPE is established nonstrained epitaxial structures |
Series/Report no.: | ;Вып. 49; С. 27-30 |
Abstract: | Установлена существенная слоистая неоднородность в приповерхностных областях полуизолирующего арсенида галлия после термического отжига при температурах, близких процессу жидкофазной эпитаксии. Показаны возможности оптимизации параметров подложек для получения на их основе малонапряженных эпитаксиальных структур с улучшенными функциональными свойствами. Визначено суттєву шарувату неоднорідність у приповерхневих областях пластин напівізолюючого арсеніду галлію nicля відпалy при температурах, близьких до процесу рідкофазової enimakciï. Показано можливість оптимізації napaмempiв підкладинок для отримання на ïx ocнoвi малонапруженних епітаксичних структур з покращеними функціональними властивостями. Considerable layered inhomogeneity in the near-surface region of semi-insulating GaAs substrates after thermal processing at the temperature LPE is established. The possibility of substrates parameters optimization is shown to obtain nonstrained epitaxial structures with improved functional properties. |
Description: | Физика аэродисперсных систем: межвед. научный сборник / Одесский национальный университет имени И.И. Мечникова. - Одесса, 2012 |
URI: | http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/4758 |
Appears in Collections: | Фізика аеродисперсних систем |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
27-30а.pdf | 313.75 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.