MICROSTRUCTURAL FEATURES AND COMPONENTIAL ANALYSIS OF THIN FILM CdS-Cu2S PHOTOSENSING STRUCTURES AS ELEMENT OF IMAGE SENSOR
Вантажиться...
Дата
2013
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова
Анотація
The mechanisms of signal relaxation, associated with the removal processes of nonequilibrium charge from the space charge region of the image sensor on the basis of non-ideal heterojunction were investigated. The mechanism of the observed two-stage process was determined. Microscopic techniques (AFM, SEM) were used to estimate HJ properties (grain size, roughness) and their relations with HJ processing parameters. Novel results concerning CdS-Cu2S HJ surface morphology and impurities depth distribution were obtained. In particular, the question of observed variation of surface photosensitivity and components interdiffusion on heteroborder were clarified. Also the comparison of samples formed by two different methodics (electrodynamical spraying and vacuum evaporation techniques) was made. X-Ray diffraction (XRD) was performed in order to detect Cu-S compounds at CdS - Cu2S heterojunctions, fabricated by the vacuum deposition of CdS on a glass substrate and Cu2S layer, formed in substitution mode. The distribution of several stoichiometric phases of copper (I) sulfide was obtained as main result.
В работе были исследованы механизмы релаксации сигнала, связанные с процессами удаления неравновесного заряда из области пространственного заряда сенсора изображения на основе неидеального гетероперехода и их связь со структурными особенностями и компонентным составом образцов. Были использована комбинация микроскопических методик (ACM, РЭМ) для оценки морфологических свойств поверхности (размер зерна, шероховатость) и их отношений с технологическими параметрами при получении гетероструктур. Были получены новые результаты, касающиеся морфологии поверхности и глубины распределения примесей. В частности, были уточнены вопросы о наблюдаемом изменении фоточувствительности поверхности и взаимной диффузии компонентов на гетерогранице. Кроме того, проведено сравнение образцов, полученных двумя различными методиками (электродинамическое распыление раствора методы вакуумного испарения). Также применялся рентгеноструктурный анализ с целью выявления различных фаз Cu-S в гетеропереходах, изготовленных вакуумным напылением на стеклянной подложке. В качестве основного результата получено распределение стехиометрических фаз сульфида меди (I) в исследуемых сенсорных структурах.
У роботі були досліджені механізми релаксації сигналу, пов’язані з процесами видалення не-рівноважного заряду з області просторового заряду сенсора зображення на основі неідеального гетероперехода та їх зв’язок із структурними особливостями і компонентним складом зразків . Була використана комбінація мікроскопічних методик (ACM, РЕМ) для оцінки морфологічних особливостей поверхні (розмір зерна , шорсткість) та їх зв’язку з технологічними параметрами при формуванні гетероструктур. Були отримані нові результати, що стосуються морфології поверхні і глибини розподілу домішок . Зокрема , були уточнені питання про спостережувану зміну фоточутливості поверхні і взаємну дифузію компонентів на гетерограниці. Крім того, проведено порівняння зразків, отриманих двома різними методиками (електродинамічне розпилювання розчину та метод вакуумного випаровування). Також застосовувався рентгено-структурний аналіз з метою виявлення різних фаз сполуки Cu-S у гетеропереходах, виготовлених вакуумним напиленням на скляній підкладці. В якості основного результату отримано розподіл стехіометричних фаз сульфіду міді (І)в досліджуваних сенсорних структурах.
В работе были исследованы механизмы релаксации сигнала, связанные с процессами удаления неравновесного заряда из области пространственного заряда сенсора изображения на основе неидеального гетероперехода и их связь со структурными особенностями и компонентным составом образцов. Были использована комбинация микроскопических методик (ACM, РЭМ) для оценки морфологических свойств поверхности (размер зерна, шероховатость) и их отношений с технологическими параметрами при получении гетероструктур. Были получены новые результаты, касающиеся морфологии поверхности и глубины распределения примесей. В частности, были уточнены вопросы о наблюдаемом изменении фоточувствительности поверхности и взаимной диффузии компонентов на гетерогранице. Кроме того, проведено сравнение образцов, полученных двумя различными методиками (электродинамическое распыление раствора методы вакуумного испарения). Также применялся рентгеноструктурный анализ с целью выявления различных фаз Cu-S в гетеропереходах, изготовленных вакуумным напылением на стеклянной подложке. В качестве основного результата получено распределение стехиометрических фаз сульфида меди (I) в исследуемых сенсорных структурах.
У роботі були досліджені механізми релаксації сигналу, пов’язані з процесами видалення не-рівноважного заряду з області просторового заряду сенсора зображення на основі неідеального гетероперехода та їх зв’язок із структурними особливостями і компонентним складом зразків . Була використана комбінація мікроскопічних методик (ACM, РЕМ) для оцінки морфологічних особливостей поверхні (розмір зерна , шорсткість) та їх зв’язку з технологічними параметрами при формуванні гетероструктур. Були отримані нові результати, що стосуються морфології поверхні і глибини розподілу домішок . Зокрема , були уточнені питання про спостережувану зміну фоточутливості поверхні і взаємну дифузію компонентів на гетерограниці. Крім того, проведено порівняння зразків, отриманих двома різними методиками (електродинамічне розпилювання розчину та метод вакуумного випаровування). Також застосовувався рентгено-структурний аналіз з метою виявлення різних фаз сполуки Cu-S у гетеропереходах, виготовлених вакуумним напиленням на скляній підкладці. В якості основного результату отримано розподіл стехіометричних фаз сульфіду міді (І)в досліджуваних сенсорних структурах.
Опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса, 2013. - англ.
Ключові слова
heterojunction, image sensor, surface morphology, XRD analysis, гетеропереход, сенсор изображения, релаксация сигнала, морфология поверхности, рентгеноструктурный анализ, сенсор зображення, релаксація сигналу, морфологія поверхні, рентгеноструктурний аналіз
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics