Please use this identifier to cite or link to this item:
http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/4315
Title: | TUNNEL SURFACE CURRENT IN GaAs P-N JUNCTIONS INDUCED BY AMMONIA MOLECULES ADSORPTION |
Other Titles: | ТУНЕЛЬНИЙ ПОВЕРХНЕВИЙ СТРУМ В P-N ПЕРЕХОДАХ НА ОСНОВІ GaAs, ІНДУКОВАНИЙ АДСОРБЦІЄЮ МОЛЕКУЛ АМІАКУ ТУННЕЛЬНЫЙ ПОВЕРХНОСТНЫЙ ТОК В P-N ПЕРЕХОДАХ НА ОСНОВЕ GaAs, ИНДУЦИРОВАННЫЙ АДСОРБЦИЕЙ МОЛЕКУЛ АММИАКА |
Authors: | Ptashchenko, Oleksandr O. Ptashchenko, Fedir O. Gilmutdinova, Valeriia R. Птащенко, Олександр Олександрович Птащенко, Федір Олександрович Гільмутдінова, Валерія Рафаїлівна Птащенко, Александр Александрович Птащенко, Федор Александрович Гильмутдинова, Валерия Рафаэловна |
Citation: | Фотоэлектроника = Photoelectronics |
Issue Date: | 2013 |
Publisher: | Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова |
Keywords: | p-n junction gas sensor surface current conducting channel tunneling p-n перехід газовий сенсор поверхневий струм провідний канал тунелювання p-n переход газовый сенсор поверхностный ток проводящий канал туннелирование |
Series/Report no.: | ;№ 22, p. 38-42 |
Abstract: | The effect of a treatment in concentrated wet ammonia vapors on I-V characteristics of GaAs p-n junctions, measured in air and in ammonia vapors, was studied. Such a treatment strongly enhances the sensitivity of the surface current to the water- and ammonia vapors. In ammonia vapors of high enough partial pressure, a maximum in the forward branch of I-V characteristic appeared. The treated p-n junctions have higher gas sensitivity at reverse bias than at forward bias. This suggests that ammonia molecules adsorption, under sufficiently high NH3 partial pressure, forms in the p-n junction a surface conducting channel with degenerated electrons. And the observed maximum in the I-V characteristic is explained by tunnel injection of electrons from the conducting channel to the degenerated p+ region. Досліджено вплив обробки у концентрованих вологих парах аміаку на BAX p-n переходів на основі GaAs, виміряних у повітрі та в парах аміаку. Така обробка різко підвищує чутливість поверхневого струму до парів води та аміаку. В парах аміаку достатньо високого парціального тиску з’являється максимум на ВАХ. Оброблені p-n переходи мають більш високу газову чутливість при зворотному зміщенні, ніж при прямому зміщенні. Це свідчить, що адсорбція молекул аміаку , при достатньо високих значеннях парціального тиску NH3, створює в p-n переході поверхневий провідний канал з виродженими електронами. І наявність спостереженого максимуму на ВАХ пояснюється тунельною інжекцією електронів із провідного каналу у вироджену p+ область. Исследовано влияние обработки в концентрированных влажных парах аммиака на ВАХ р-п переходов на основе GaAs, измеренных в воздухе и в парах аммиака. Такая обработка резко повышает чувствительность поверхностного тока к парам воды и аммиака. В парах аммиака с достаточно высоким парциальным давлением появляется максимум на ВАХ. Обработанные р-п переходы имеют более высокую газовую чувствительность при обратном смещении, чем при прямом смещении. Это свидетельствует, что адсорбция молекул аммиака , при достаточно высоких значениях парциального давления NH3, создает в р-п переходе поверхностный проводящий канал с вырожденными электронами. И появление максимума на ВАХ объясняется туннельной инжекцией электронов из проводящего канала в вырожденную р+ область. |
Description: | Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса, 2013. - англ. |
URI: | http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/4315 |
Appears in Collections: | Photoelectronics |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.