Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/4118
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorСминтина, Валентин Андрійович-
dc.contributor.authorКулініч, О. А.-
dc.contributor.authorГлауберман, Михаил Аббович-
dc.contributor.authorГлауберман, Михайло Абович-
dc.contributor.authorGlauberman, Mykhailo A.-
dc.date.accessioned2013-12-18T10:28:58Z-
dc.date.available2013-12-18T10:28:58Z-
dc.date.issued2008-
dc.identifier.citation3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.uk
dc.identifier.urihttp://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/4118-
dc.description3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей. - Одеса: Астропринт, 2008.- 400 с.uk
dc.description.abstractНа думку відомих фахівців, працюючих в провідних світових науково-виробничих підприємствах з виробництва елементів електронної техніки напівпровідниковий кремній, завдяки своїм електрофізичним, механічним та технологічним властивостям, буде залишатися основою для виробництва напівпровідникових пристроїв ще більш ніж 100 років. В наш час перехід від мікророзмірних елементів до нанорозмірних елементів пред’являє підвищені вимоги до якості напівпровідникових матеріалів.uk
dc.language.isoukuk
dc.subjectнапівпровідниковий кремнійuk
dc.subjectнанорозмірні елементиuk
dc.subjectмікророзмірні елементіиuk
dc.subjectдефекти вихідного кремніюuk
dc.titleДеградація параметрів кремнієвих сенсорівuk
dc.typeArticleuk
Appears in Collections:Статті та доповіді ФМФІТ

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
360.pdf37.85 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.