Please use this identifier to cite or link to this item:
http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/4118Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Сминтина, Валентин Андрійович | - |
| dc.contributor.author | Кулініч, О. А. | - |
| dc.contributor.author | Глауберман, Михаил Аббович | - |
| dc.contributor.author | Глауберман, Михайло Абович | - |
| dc.contributor.author | Glauberman, Mykhailo A. | - |
| dc.date.accessioned | 2013-12-18T10:28:58Z | - |
| dc.date.available | 2013-12-18T10:28:58Z | - |
| dc.date.issued | 2008 | - |
| dc.identifier.citation | 3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р. | uk |
| dc.identifier.uri | http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/4118 | - |
| dc.description | 3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей. - Одеса: Астропринт, 2008.- 400 с. | uk |
| dc.description.abstract | На думку відомих фахівців, працюючих в провідних світових науково-виробничих підприємствах з виробництва елементів електронної техніки напівпровідниковий кремній, завдяки своїм електрофізичним, механічним та технологічним властивостям, буде залишатися основою для виробництва напівпровідникових пристроїв ще більш ніж 100 років. В наш час перехід від мікророзмірних елементів до нанорозмірних елементів пред’являє підвищені вимоги до якості напівпровідникових матеріалів. | uk |
| dc.language.iso | uk | uk |
| dc.subject | напівпровідниковий кремній | uk |
| dc.subject | нанорозмірні елементи | uk |
| dc.subject | мікророзмірні елементіи | uk |
| dc.subject | дефекти вихідного кремнію | uk |
| dc.title | Деградація параметрів кремнієвих сенсорів | uk |
| dc.type | Article | uk |
| Appears in Collections: | Статті та доповіді ФМФІТ | |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.