Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/4118
Назва: | Деградація параметрів кремнієвих сенсорів |
Автори: | Сминтина, Валентин Андрійович Кулініч, О. А. Глауберман, Михаил Аббович Глауберман, Михайло Абович Glauberman, Mykhailo A. |
Бібліографічний опис: | 3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р. |
Дата публікації: | 2008 |
Ключові слова: | напівпровідниковий кремній нанорозмірні елементи мікророзмірні елементіи дефекти вихідного кремнію |
Короткий огляд (реферат): | На думку відомих фахівців, працюючих в провідних світових науково-виробничих підприємствах з виробництва елементів електронної техніки напівпровідниковий кремній, завдяки своїм електрофізичним, механічним та технологічним властивостям, буде залишатися основою для виробництва напівпровідникових пристроїв ще більш ніж 100 років. В наш час перехід від мікророзмірних елементів до нанорозмірних елементів пред’являє підвищені вимоги до якості напівпровідникових матеріалів. |
Опис: | 3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей. - Одеса: Астропринт, 2008.- 400 с. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/4118 |
Розташовується у зібраннях: | Статті та доповіді ФМФІТ |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
360.pdf | 37.85 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.