Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/4118
Назва: Деградація параметрів кремнієвих сенсорів
Автори: Сминтина, Валентин Андрійович
Кулініч, О. А.
Глауберман, Михаил Аббович
Глауберман, Михайло Абович
Glauberman, Mykhailo A.
Бібліографічний опис: 3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.
Дата публікації: 2008
Ключові слова: напівпровідниковий кремній
нанорозмірні елементи
мікророзмірні елементіи
дефекти вихідного кремнію
Короткий огляд (реферат): На думку відомих фахівців, працюючих в провідних світових науково-виробничих підприємствах з виробництва елементів електронної техніки напівпровідниковий кремній, завдяки своїм електрофізичним, механічним та технологічним властивостям, буде залишатися основою для виробництва напівпровідникових пристроїв ще більш ніж 100 років. В наш час перехід від мікророзмірних елементів до нанорозмірних елементів пред’являє підвищені вимоги до якості напівпровідникових матеріалів.
Опис: 3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей. - Одеса: Астропринт, 2008.- 400 с.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/4118
Розташовується у зібраннях:Статті та доповіді ФМФІТ

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
360.pdf37.85 kBAdobe PDFЕскіз
Переглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.