Структура и свойства сенсоров на основе GaP, полученных методом лазерного легирования
Вантажиться...
Файли
Дата
2008
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Астропринт
Анотація
При лазерном легировании n-GaP<S> индием могут быть получены структуры с хорошими
фотоэлектрическими свойствами, излучающие в желто-зеленой области спектра.
Опис
3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей. - Одеса: Астропринт, 2008.- 400 с.
Ключові слова
структура сенсоров, свойства сенсоров, лазерное легирование, GaP
Бібліографічний опис
3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.