Please use this identifier to cite or link to this item:
http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/4116
Title: | Структура и свойства сенсоров на основе GaP, полученных методом лазерного легирования |
Authors: | Стукалов, С. А. Евтушенко, Н. Г. Жуков, Сергей Александрович Ротнер, Сергей Михайлович Тюрин, Александр Валентинович Тюрін, Олександр Валентинович Tyurin, Oleksandr V. Жуков, Сергій Олександрович Zhukov, Serhii O. |
Citation: | 3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р. |
Issue Date: | 2008 |
Publisher: | Астропринт |
Keywords: | структура сенсоров свойства сенсоров лазерное легирование GaP |
Abstract: | При лазерном легировании n-GaP<S> индием могут быть получены структуры с хорошими фотоэлектрическими свойствами, излучающие в желто-зеленой области спектра. |
Description: | 3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей. - Одеса: Астропринт, 2008.- 400 с. |
URI: | http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/4116 |
Appears in Collections: | Статті та доповіді ФМФІТ |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.