Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/4116
Title: Структура и свойства сенсоров на основе GaP, полученных методом лазерного легирования
Authors: Стукалов, С. А.
Евтушенко, Н. Г.
Жуков, Сергей Александрович
Ротнер, С. М.
Тюрин, Александр Валентинович
Тюрин, Олександр Валентинович
Tiuryn, Oleksandr V.
Жуков, Сергій Олександрович
Zhukov, Serhii O.
Citation: 3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.
Issue Date: 2008
Publisher: Астропринт
Keywords: структура сенсоров
свойства сенсоров
лазерное легирование
GaP
Abstract: При лазерном легировании n-GaP<S> индием могут быть получены структуры с хорошими фотоэлектрическими свойствами, излучающие в желто-зеленой области спектра.
Description: 3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей. - Одеса: Астропринт, 2008.- 400 с.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/4116
Appears in Collections:Статті та доповіді ФМФІТ

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
345.pdf36.57 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.