DSpace О системе DSpace
україн русск eng
[Зарегистрироваться]
 

Repository at Odesa I.Mechnikov National University >
Фізичний факультет >
Статті та доповіді (фіз) >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/4116

Название: СТРУКТУРА И СВОЙСТВА СЕНСОРОВ НА ОСНОВЕ GaP, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ЛАЗЕРНОГО ЛЕГИРОВАНИЯ
Авторы: Стукалов, С. А.
Евтушенко, Н. Г.
Жуков, С. А.
Ротнер, С. М.
Тюрин, А. В.
Ключевые слова: структура сенсоров
свойства сенсоров
лазерное легирование
GaP
Дата публикации: 2008
Издатель: Астропринт
Источник: 3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.
Серия/номер: ;С. 345
Краткий осмотр (реферат): При лазерном легировании n-GaP<S> индием могут быть получены структуры с хорошими фотоэлектрическими свойствами, излучающие в желто-зеленой области спектра.
Описание: 3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей. - Одеса: Астропринт, 2008.- 400 с.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/4116
Располагается в коллекциях:Статті та доповіді (фіз)

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
345.pdf36,57 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
View Statistics

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.

 

п╞пҐпЄп╣п╨я│ я├п╦я┌п╦я─п╬п╡п╟пҐп╦я▐ DSpace Software Copyright © 2002-2005 MIT and Hewlett-Packard - Обратная связь