Застосування електронного опромінення у технології виготовлення кремнієвих високочутливих магнітотранзисторів
Вантажиться...
Файли
Дата
2008
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Анотація
Експериментально вивчено, що при опроміненні кремнієвих двохколекторних магнітотранзисторів (ДМТ) потоком електронів дозами Ф =1013-3*1013 см-2, енергією 2,5 МеВ з наступним відпаленням при температурі 480° С на протязі 2-3 годин спостерігається максимум магніточутливості. Поява максимуму
магніточутливості пояснюється ростом рухливості та збільшенням часу життя неосновних інжектованих носіїв після відпалення. Така ситуація обумовлена різною
природою радіаційних дефектів у базі ДМТ, домінуюча роль котрих залежить як від
умов опромінення і домішкового складу, так і від наявності стоків для первинних структурних дефектів у матеріалі приладу.
Опис
3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей. - Одеса: Астропринт, 2008.- 400 с.
Ключові слова
електронне опромінення, кремнієвий високочутливий магнітотранзистор
Бібліографічний опис
Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem