Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/4115
Title: ЗАСТОСУВАННЯ ЕЛЕКТРОННОГО ОПРОМІНЕННЯ У ТЕХНОЛОГІЇ ВИГОТОВЛЕННЯ КРЕМНІЄВИХ ВИСОКОЧУТЛИВИХ МАГНІТОТРАНЗИСТОРІВ
Authors: Глауберман, М. А.
Єгоров, В. В.
Каніщева, Н. А.
Козел, В. В.
Citation: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem
Issue Date: 2008
Publisher: Астропринт
Keywords: електронне опромінення
кремнієвий високочутливий магнітотранзистор
Series/Report no.: ;С. 338
Abstract: Експериментально вивчено, що при опроміненні кремнієвих двохколекторних магнітотранзисторів (ДМТ) потоком електронів дозами Ф =1013-3*1013 см-2, енергією 2,5 МеВ з наступним відпаленням при температурі 480° С на протязі 2-3 годин спостерігається максимум магніточутливості. Поява максимуму магніточутливості пояснюється ростом рухливості та збільшенням часу життя неосновних інжектованих носіїв після відпалення. Така ситуація обумовлена різною природою радіаційних дефектів у базі ДМТ, домінуюча роль котрих залежить як від умов опромінення і домішкового складу, так і від наявності стоків для первинних структурних дефектів у матеріалі приладу.
Description: 3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей. - Одеса: Астропринт, 2008.- 400 с.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/4115
Appears in Collections:Статті та доповіді ФМФІТ

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
338.pdf40.39 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.