Please use this identifier to cite or link to this item:
http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/4112
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Терлецкая, Л. Л. | - |
dc.contributor.author | Чернова, Е. А. | - |
dc.contributor.author | Копыт, Н. Х. | - |
dc.date.accessioned | 2013-12-17T12:10:09Z | - |
dc.date.available | 2013-12-17T12:10:09Z | - |
dc.date.issued | 2008 | - |
dc.identifier.citation | 3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р. | uk |
dc.identifier.uri | http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/4112 | - |
dc.description | 3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей. - Одеса: Астропринт, 2008.- 400 с. | uk |
dc.description.abstract | В основу создания ряда полупроводниковых приборов заложен принцип действия, который позволяет не только избежать негативного влияния неоднородностей в полупроводниковых материалах на основе соединений А3В5, но и использовать их вклад в функциональном действии приборных структур. Процессы, происходящие в таких приборах, основаны на эффектах накопления и запоминания информации на границах раздела неоднородностей. | uk |
dc.language.iso | ru | uk |
dc.publisher | Астропринт | uk |
dc.relation.ispartofseries | ;С. 330 | - |
dc.subject | наноразмерные неоднородности | uk |
dc.subject | релаксационно-накопительные процессы | uk |
dc.subject | фотогетероструктуры | uk |
dc.title | Влияние наноразмерных неоднородностей на релаксационно-накопительные процессы в фотогетероструктурах | uk |
dc.type | Article | uk |
Appears in Collections: | Статті та доповіді ФМФІТ |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.