Влияние наноразмерных неоднородностей на релаксационно-накопительные процессы в фотогетероструктурах
Вантажиться...
Файли
Дата
2008
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Астропринт
Анотація
В основу создания ряда полупроводниковых приборов заложен принцип действия, который позволяет не только избежать негативного влияния неоднородностей в полупроводниковых материалах на основе соединений А3В5, но и
использовать их вклад в функциональном действии приборных структур. Процессы, происходящие в таких приборах, основаны на эффектах накопления и запоминания информации на границах раздела неоднородностей.
Опис
3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей. - Одеса: Астропринт, 2008.- 400 с.
Ключові слова
наноразмерные неоднородности, релаксационно-накопительные процессы, фотогетероструктуры
Бібліографічний опис
3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.