Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/4112
Title: Влияние наноразмерных неоднородностей на релаксационно-накопительные процессы в фотогетероструктурах
Authors: Терлецкая, Л. Л.
Чернова, Е. А.
Копыт, Н. Х.
Citation: 3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.
Issue Date: 2008
Publisher: Астропринт
Keywords: наноразмерные неоднородности
релаксационно-накопительные процессы
фотогетероструктуры
Series/Report no.: ;С. 330
Abstract: В основу создания ряда полупроводниковых приборов заложен принцип действия, который позволяет не только избежать негативного влияния неоднородностей в полупроводниковых материалах на основе соединений А3В5, но и использовать их вклад в функциональном действии приборных структур. Процессы, происходящие в таких приборах, основаны на эффектах накопления и запоминания информации на границах раздела неоднородностей.
Description: 3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей. - Одеса: Астропринт, 2008.- 400 с.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/4112
Appears in Collections:Статті та доповіді ФМФІТ

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
330.pdf40.18 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.