Вплив γ-опромінення на фотолюмінесцентні властивості нанорозмірних кластерів CdS, що їх сформовано в матриці шпаристого скла

Анотація
Перетворення мікроелектроніки у наноелектроніку висуває додаткові вимоги до властивостей матеріалів, що використовуються у практичних застосуваннях. Однією з таких вимог є створення нанорозмірних кластерів напівпровідникових сполук, що традиційні для електроніки, для яких виявляються суттєвими квантово-розмірні ефекти. Такою, перспективною для потреб наноелектроніки сполукою є CdS, фотолюмінесцентнівластивості якого у кристалічному стані добре вивчено, отже дослідження властивостей нанорозмірних кластерів цієї сполуки є вельми актуальним.
Опис
3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей. - Одеса: Астропринт, 2008.- 400 с.
Ключові слова
γ-опромінення, фотолюмінесцентні властивості, кластери cds, шпаристе скло
Бібліографічний опис
3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.