ВПЛИВ АТОМІВ СІРКИ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ р-n ПЕРЕХОДІВ НА ОСНОВІ GaAs ЯК ГАЗОВИХ СЕНСОРІВ
Вантажиться...
Файли
Дата
2008
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Астропринт
Анотація
Досліджено пасивацію поверхні GaAs атомами сірки та вплив пасивації на характеристики р-n переходів на основі GaAs як газових сенсорів. Пасивація здійснювалась нанесенням на поверхню GaAs атомів сірки у водних розчинах Na2S* Н2О. Ступінь пасивації змінювався її тривалістю. Вимірювались стаціонарні вольтамперні характеристики (ВАХ) р-n переходів у сухому повітрі, в атмосфері, що містила насичені пари води і етилену над відповідними рідинами, а також у парах аміаку над його водними розчинами різних концентрацій. Аналізувалась кінетика прямого і зворотного струмів р-n переходів при зміні складу навколишньої атмосфери, а також вимірювалися спектри фотоструму.
Опис
3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей. - Одеса: Астропринт, 2008.- 400 с.
Ключові слова
атоми сірки, газові сенсори, р-n переходи
Бібліографічний опис
3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.