Please use this identifier to cite or link to this item:
http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/4014| Title: | ВПЛИВ АТОМІВ СІРКИ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ р-n ПЕРЕХОДІВ НА ОСНОВІ GaAs ЯК ГАЗОВИХ СЕНСОРІВ |
| Authors: | Птащенко, Олександр Олександрович Птащенко, Ф. О. Маслєєва, Наталія Володимирівна Богдан, О. В. Шугарова, В. В. Птащенко, Александр Александрович Ptashchenko, Oleksandr O. |
| Citation: | 3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р. |
| Issue Date: | 2008 |
| Publisher: | Астропринт |
| Keywords: | атоми сірки газові сенсори р-n переходи |
| Series/Report no.: | С. 187 |
| Abstract: | Досліджено пасивацію поверхні GaAs атомами сірки та вплив пасивації на характеристики р-n переходів на основі GaAs як газових сенсорів. Пасивація здійснювалась нанесенням на поверхню GaAs атомів сірки у водних розчинах Na2S* Н2О. Ступінь пасивації змінювався її тривалістю. Вимірювались стаціонарні вольтамперні характеристики (ВАХ) р-n переходів у сухому повітрі, в атмосфері, що містила насичені пари води і етилену над відповідними рідинами, а також у парах аміаку над його водними розчинами різних концентрацій. Аналізувалась кінетика прямого і зворотного струмів р-n переходів при зміні складу навколишньої атмосфери, а також вимірювалися спектри фотоструму. |
| Description: | 3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей. - Одеса: Астропринт, 2008.- 400 с. |
| URI: | http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/4014 |
| Appears in Collections: | Статті та доповіді ФМФІТ |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.