ХАРАКТЕРИСТИКИ Р-N ПЕРЕХОДІВ НА ОСНОВІ InGaN ЯК ГАЗОВИХ СЕНСОРІВ
Вантажиться...
Файли
Дата
2008
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Астропринт
Анотація
Досліджено вплив парів аміаку, води та етилену в навколишній атмосфері на стаціонарні вольт-амперні характеристики (ВАХ) прямого і зворотного струмів у р-n переходах на основі InGaN. Вимірювання проводилися на р-n структурах, оптимізованих для виготовлення світловипромінювальних діодів (СВД). Ширина забороненої зони потрійної сполуки в р-n структурах складала 2,46 еВ (для зелено-голубих СВД), 2,64 еВ ( для синіх СВД) і 3,1 еВ ( для фіолетових СВД). Парціальний тиск парів аміаку змінювався зміною концентрації NH3 у його водному розчині, над яким знаходився р-n перехід. Аналізувалась кінетика прямого і зворотного струмів у р-n переходах при зміні складу навколишньої атмосфери
Опис
3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей. - Одеса: Астропринт, 2008.- 400 с.
Ключові слова
р-n переходи, InGaN, пари аміаку, газові сенсори
Бібліографічний опис
3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.