Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/4007
Title: ХАРАКТЕРИСТИКИ Р-N ПЕРЕХОДІВ НА ОСНОВІ InGaN ЯК ГАЗОВИХ СЕНСОРІВ
Authors: Птащенко, Олександр Олександрович
Птащенко, Ф. О.
Блажнова, О. А.
Птащенко, Александр Александрович
Ptashchenko, Oleksandr O.
Citation: 3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.
Issue Date: 2008
Publisher: Астропринт
Keywords: р-n переходи
InGaN
пари аміаку
газові сенсори
Series/Report no.: ;С. 81
Abstract: Досліджено вплив парів аміаку, води та етилену в навколишній атмосфері на стаціонарні вольт-амперні характеристики (ВАХ) прямого і зворотного струмів у р-n переходах на основі InGaN. Вимірювання проводилися на р-n структурах, оптимізованих для виготовлення світловипромінювальних діодів (СВД). Ширина забороненої зони потрійної сполуки в р-n структурах складала 2,46 еВ (для зелено-голубих СВД), 2,64 еВ ( для синіх СВД) і 3,1 еВ ( для фіолетових СВД). Парціальний тиск парів аміаку змінювався зміною концентрації NH3 у його водному розчині, над яким знаходився р-n перехід. Аналізувалась кінетика прямого і зворотного струмів у р-n переходах при зміні складу навколишньої атмосфери
Description: 3-я Міжнародна науково-технічна конференція. Сенсорна елетроніка і мікросистемні технології (СЕМСТ-3). Україна, Одеса, 2-6 червня 2008 р.: Тези доповідей. - Одеса: Астропринт, 2008.- 400 с.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/4007
Appears in Collections:Статті та доповіді ФМФІТ

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
81.pdf32.23 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.