Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/3975
Title: ДОСЛІДЖЕННЯ БАР’ЄРНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ ГЕТЕРОПЕРЕХОДУ CdS-Cu2S З ВИКОРИСТАННЯМ МЕТОДИКИ BELIV
Other Titles: CdS-Cu2S HETEROJUNCTION BARRIER PROPERTIES CHARACTERIZATION BY BELIV
ИССЛЕДОВАНИЕ БАРЬЕРНЫХ СВОЙСТВ ГЕТЕРОПЕРЕХОДА Cu2S–CdS С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ МЕТОДИКИ BELIV
Authors: Борщак, Виталий Анатольевич
Borshchak, Vitalii A.
Борщак, Віталій Анатолійович
Citation: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies
Issue Date: 2013
Publisher: Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Keywords: методика BELIV
неідеальний гетероперехід
сенсор зображень
методика BELIV
неидеальный гетеропереход
сенсор изображений
BELIV methodic
nonideal heterojunction
image sensor
Series/Report no.: ;Т. 10, № 3.
Abstract: У роботі проведено дослідження концентрації вільних носіїв, їх рухливості, висоти бар'єру в зразках полікристалічних гетероструктур Cu2S-CdS з використанням методики вимірювань бар'єрних характеристик при підключенні лінійно зростаючої напруги. Виділено три типи зразків з характерним виглядом залежностей зростання струму від часу при такому зміщенні. Проведено моделювання отриманих експериментальних кривих таких залежностей. Визначено такі параметри досліджуваних гетероструктур, як концентрація вільних носіїв, рухливість, висота бар'єру. Показано, що час нанесення плівок і температура підкладки в значній мірі впливають на фотоелектричні властивості зразків за рахунок варіювання концентрації вільних носіїв і глибоких рекомбінаційних центрів, що є актуальним при оптимізації технологічних параметрів отримання сенсорів зображень на базі таких структур.
В работе были проведены исследования концентрации свободных носителей, их подвижности, высоты барьера в образцах поликристаллических гетероструктур Cu2S-CdS с использованием методики измерений барьерных характеристик при подключении линейно возрастающего напряжения. Выделены три типа образцов с характерным видом зависимостей нарастания тока от времени при таком смещении. Проведено моделирование полученных экспериментальных кривых таких зависимостей. Определены такие параметры исследуемых гетероструктур, как концентрация свободных носителей, подвижность, высота барьера. Показано, что время нанесения пленок и температура подложки в значительной степени влияют на фотоэлектрические свойства образцов за счёт варьирования концентрации свободных носителей и глубоких рекомбинационных центров, что является актуальным при оптимизации технологических параметров получения сенсоров изображений на базе таких структур
The investigation of free carrier concentration, mobility, barrier height in polycrystalline Cu2S–CdS heterostructures formed by substitution technique have been examined by the barrier evaluation by linearly increasing pulsed voltage technique. Measurements enabled us to reveal three types of samples with different dependences of current increment during bias pulse. Mathematical modeling of experimental curves was held then. Several internal parameters like free carriers concentration, mobility, barrier height were obtained. It is shown that the layer deposition temperature and duration affect to photoelectrical properties of heterojunction layers by varying free carrier density and the density of deep recombination centers. That is actual in technical parameters optimization during the fabrication of image sensors based on studied structure.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/3975
Appears in Collections:Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
82-87+.pdf570.52 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.