ДОСЛІДЖЕННЯ БАР’ЄРНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ ГЕТЕРОПЕРЕХОДУ CdS-Cu2S З ВИКОРИСТАННЯМ МЕТОДИКИ BELIV
Вантажиться...
Дата
2013
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
У роботі проведено дослідження концентрації вільних носіїв, їх рухливості, висоти бар'єру в зразках полікристалічних гетероструктур Cu2S-CdS з використанням методики вимірювань бар'єрних характеристик при підключенні лінійно зростаючої напруги. Виділено три типи зразків з характерним виглядом залежностей зростання струму від часу при такому зміщенні. Проведено моделювання отриманих експериментальних кривих таких залежностей. Визначено такі параметри досліджуваних гетероструктур, як концентрація вільних носіїв, рухливість, висота бар'єру. Показано, що час нанесення плівок і температура підкладки в значній мірі впливають на фотоелектричні властивості зразків за рахунок варіювання концентрації вільних носіїв і глибоких рекомбінаційних центрів, що є актуальним при оптимізації технологічних параметрів отримання сенсорів зображень на базі таких структур.
В работе были проведены исследования концентрации свободных носителей, их подвижности, высоты барьера в образцах поликристаллических гетероструктур Cu2S-CdS с использованием методики измерений барьерных характеристик при подключении линейно возрастающего напряжения. Выделены три типа образцов с характерным видом зависимостей нарастания тока от времени при таком смещении. Проведено моделирование полученных экспериментальных кривых таких зависимостей. Определены такие параметры исследуемых гетероструктур, как концентрация свободных носителей, подвижность, высота барьера. Показано, что время нанесения пленок и температура подложки в значительной степени влияют на фотоэлектрические свойства образцов за счёт варьирования концентрации свободных носителей и глубоких рекомбинационных центров, что является актуальным при оптимизации технологических параметров получения сенсоров изображений на базе таких структур
The investigation of free carrier concentration, mobility, barrier height in polycrystalline Cu2S–CdS heterostructures formed by substitution technique have been examined by the barrier evaluation by linearly increasing pulsed voltage technique. Measurements enabled us to reveal three types of samples with different dependences of current increment during bias pulse. Mathematical modeling of experimental curves was held then. Several internal parameters like free carriers concentration, mobility, barrier height were obtained. It is shown that the layer deposition temperature and duration affect to photoelectrical properties of heterojunction layers by varying free carrier density and the density of deep recombination centers. That is actual in technical parameters optimization during the fabrication of image sensors based on studied structure.
В работе были проведены исследования концентрации свободных носителей, их подвижности, высоты барьера в образцах поликристаллических гетероструктур Cu2S-CdS с использованием методики измерений барьерных характеристик при подключении линейно возрастающего напряжения. Выделены три типа образцов с характерным видом зависимостей нарастания тока от времени при таком смещении. Проведено моделирование полученных экспериментальных кривых таких зависимостей. Определены такие параметры исследуемых гетероструктур, как концентрация свободных носителей, подвижность, высота барьера. Показано, что время нанесения пленок и температура подложки в значительной степени влияют на фотоэлектрические свойства образцов за счёт варьирования концентрации свободных носителей и глубоких рекомбинационных центров, что является актуальным при оптимизации технологических параметров получения сенсоров изображений на базе таких структур
The investigation of free carrier concentration, mobility, barrier height in polycrystalline Cu2S–CdS heterostructures formed by substitution technique have been examined by the barrier evaluation by linearly increasing pulsed voltage technique. Measurements enabled us to reveal three types of samples with different dependences of current increment during bias pulse. Mathematical modeling of experimental curves was held then. Several internal parameters like free carriers concentration, mobility, barrier height were obtained. It is shown that the layer deposition temperature and duration affect to photoelectrical properties of heterojunction layers by varying free carrier density and the density of deep recombination centers. That is actual in technical parameters optimization during the fabrication of image sensors based on studied structure.
Опис
Ключові слова
методика BELIV, неідеальний гетероперехід, сенсор зображень, методика BELIV, неидеальный гетеропереход, сенсор изображений, BELIV methodic, nonideal heterojunction, image sensor
Бібліографічний опис
Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies