ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ИОНОВ ВАНАДИЯ В КРИСТАЛЛАХ ZnS
Вантажиться...
Дата
2013
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
Исследованы монокристаллы ZnS:V, полученные методом диффузионного легирования. Исследованы спектры оптической плотности в области энергий 0.4-3.9 эВ. По величине смещения края поглощения определена концентрация ванадия в исследуемых кристаллах. Идентифицирована природа оптических переходов, определяющих оптические свойства монокристаллов ZnS:V в видимой и ИК-области спектра.
Досліджені монокристали ZnS:V, отримані методом дифузійного легування. Спектри оптичної густини досліджувались в області енергій 0.4-3.9 еВ. За величиною зсуву краю поглинання визначена концентрація ванадію в досліджуваних кристалах. Ідентифікована природа оптичних переходів, що визначають властивості кристалів ZnS:V в видимій та ІЧ- області спектру.
ZnS:V single crystals obtained by diffusion doping are investigated. The spectra of optical density in the energy range 0.4-3.9 eV are investigated. On absorption edge shift of investigated crystals the vanadium concentration is calculated. Nature of optical transitions determining optical properties of ZnS:V single crystals in the visible and IR-region of spectrum is identified.
Досліджені монокристали ZnS:V, отримані методом дифузійного легування. Спектри оптичної густини досліджувались в області енергій 0.4-3.9 еВ. За величиною зсуву краю поглинання визначена концентрація ванадію в досліджуваних кристалах. Ідентифікована природа оптичних переходів, що визначають властивості кристалів ZnS:V в видимій та ІЧ- області спектру.
ZnS:V single crystals obtained by diffusion doping are investigated. The spectra of optical density in the energy range 0.4-3.9 eV are investigated. On absorption edge shift of investigated crystals the vanadium concentration is calculated. Nature of optical transitions determining optical properties of ZnS:V single crystals in the visible and IR-region of spectrum is identified.
Опис
Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журнал
Ключові слова
сульфид цинка, ионы ванадия, внутрицентровые оптические переходы, фотоионизация, сульфід цинку, іони ванадію, внутришньоцентрові оптичні переходи, фотоіонізація, zinc sulfide, vanadium ions, intracenter optical transitions, photoionisation
Бібліографічний опис
Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies