The dependence of a plastic flow stress and deformation values on the presence of clear and precipitated by impurity initial structural
Дата
2009
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Астропринт
Анотація
The dependence of a plastic flow stress and deformation values on the presence of clear and precipitated by impurity initial structural
defects in epitaxial p — silicon without foreign impurity and in epitaxial p — silicon with oxygen impurity is investigated. It is
established, that, boron doping of silicon is the reason of threshold stress reduction in comparison with threshold stress for clear from
defects silicon and leads to reduction of its hardness. Presence of oxygen, precipitating dislocations in plates, stimulates the increase of
threshold stress.Исследована зависимость величины напряжений и деформаций начала пластического течения от присутствия чистых
и преципитированных примесями исходных структурных дефектов в эпитаксиальном p- кремнии без сторонних примесей
и в эпитаксиальном p- кремнии с примесью кислорода. Установлено, что, легирование кремния бором является причиной
уменьшения пороговых напряжений по сравнению с пороговыми напряжениями для чистого от дефектов кремния и приводит
к уменьшению его прочности. Присутствие в пластинах кислорода, преципитирующего дислокации, стимулирует возрастание
пороговых напряжений.Досліджено залежність величини напруги і деформації початку пластичної течії від наявності чистих і преципітованих
домішками початкових структурних дефектів в епітаксіальному p- кремнії без сторонніх домішок і в епітаксіальному
p- кремнії з домішкою кисню. Встановлено, що, легування кремнію бором є причиною зменшення порогової напруги в
порівнянні із пороговою напругою для чистого від домішок кремнію і призводить до зниження його міцності. Присутність в
пластинах кисню, преципітуючого дислокації, стимулює зростання порогової напруги.
Опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,1996 - Вып. 18. - 2009.
Ключові слова
dislocations, threshold stresses, plastic deformations., дислокации, пороговое напряжение, пластические деформации, дислокації, порогова напруга, пластичні деформації
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelecnronis.