DSpace О системе DSpace
україн русск eng
[Зарегистрироваться]
 

Repository at Odesa I.Mechnikov National University >
Фізичний факультет >
"Фотоэлектроника" >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/382

Название: The dependence of a plastic flow stress and deformation values on the presence of clear and precipitated by impurity initial structural
Другие названия: ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСЕЙ И ДИСЛОКАЦИЙ НА ВЕЛИЧИНУ ПОРОГОВЫХ НАПРЯЖЕНИЙ И ПЛАСТИЧЕСКИХ
ВПЛИВ ДОМІШОК І ДИСЛОКАЦІЙ НА ВЕЛИЧИНУ ПОРОГОВОЇ НАПРУГИ І ПЛАСТЧНОЇ ДЕФОРМАЦІЇ
Авторы: Smyntyna, V. A.
Sviridova, O. V.
Смынтына, В. А.
Свиридова, О. В.
Сминтина, В. А.
Свірідова, О. В.
Ключевые слова: dislocations
threshold stresses
plastic deformations.
дислокации
пороговое напряжение
пластические деформации
дислокації
порогова напруга
пластичні деформації
Дата публикации: 2009
Издатель: Астропринт
Источник: Фотоэлектроника = Photoelecnronis.
Серия/номер: ;№ 18. - Р. 52 - 56.
Краткий осмотр (реферат): The dependence of a plastic flow stress and deformation values on the presence of clear and precipitated by impurity initial structural defects in epitaxial p — silicon without foreign impurity and in epitaxial p — silicon with oxygen impurity is investigated. It is established, that, boron doping of silicon is the reason of threshold stress reduction in comparison with threshold stress for clear from defects silicon and leads to reduction of its hardness. Presence of oxygen, precipitating dislocations in plates, stimulates the increase of threshold stress.Исследована зависимость величины напряжений и деформаций начала пластического течения от присутствия чистых и преципитированных примесями исходных структурных дефектов в эпитаксиальном p- кремнии без сторонних примесей и в эпитаксиальном p- кремнии с примесью кислорода. Установлено, что, легирование кремния бором является причиной уменьшения пороговых напряжений по сравнению с пороговыми напряжениями для чистого от дефектов кремния и приводит к уменьшению его прочности. Присутствие в пластинах кислорода, преципитирующего дислокации, стимулирует возрастание пороговых напряжений.Досліджено залежність величини напруги і деформації початку пластичної течії від наявності чистих і преципітованих домішками початкових структурних дефектів в епітаксіальному p- кремнії без сторонніх домішок і в епітаксіальному p- кремнії з домішкою кисню. Встановлено, що, легування кремнію бором є причиною зменшення порогової напруги в порівнянні із пороговою напругою для чистого від домішок кремнію і призводить до зниження його міцності. Присутність в пластинах кисню, преципітуючого дислокації, стимулює зростання порогової напруги.
Описание: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,1996 - Вып. 18. - 2009.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/382
Располагается в коллекциях:"Фотоэлектроника"

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
fotoel_18_2009_51-56+.pdf172,46 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
View Statistics

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.

 

п╞пҐпЄп╣п╨я│ я├п╦я┌п╦я─п╬п╡п╟пҐп╦я▐ DSpace Software Copyright © 2002-2005 MIT and Hewlett-Packard - Обратная связь