Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/3802
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorПтащенко, Олександр Олександрович-
dc.contributor.authorПтащенко, Ф. О.-
dc.contributor.authorГільмутдінова, В. Р.-
dc.contributor.authorPtashchenko, Oleksandr O.-
dc.contributor.authorPtashchenko, F. O.-
dc.contributor.authorGilmutdinova, V. R.-
dc.contributor.authorПтащенко, Александр Александрович-
dc.contributor.authorПтащенко, Ф. А.-
dc.contributor.authorГильмутдинова, В. Р.-
dc.date.accessioned2013-07-18T11:44:02Z-
dc.date.available2013-07-18T11:44:02Z-
dc.date.issued2013-
dc.identifier.citationСенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologiesuk
dc.identifier.urihttp://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/3802-
dc.description.abstractДосліджено вплив тривалої витримки p-n переходів на основі GaAs у вологих парах NH3 з парціальним тиском 12 кПа на їхні характеристики як сенсорів парів води та аміаку. Встановлено, що вказана обробка веде до утворення повільних донорних поверхневих центрів з часом десорбції т=(3,3 ± 0,1) 105с, які суттєво підвищують чутливість сенсорів. Досягнуто порогу чутливості сенсорів до парів аміаку pamin=0,1 Па (що відповідає 1ppm), чутливості 40 нА/ Па до парів NH3 і 25 нА/кПа до папів води. Верхнвмежа області чутливості сенсорів парів аміаку після вказаної обробки складає 200 Па і обумовлена наявністю поверхневих рівнів глибиною 0,18-0,20 еВ. Розширення області чутливості сенсора в результаті обробки дало змогу виявити кілька повільних глибоких поверхневих рівнів у GaAs.uk
dc.description.abstractEffect of a durable exposure of GaAs p-njunctions in dampedNH3 vapors with a partial pressure of12 kPa was investigated on their characteristics as water and ammonia vapors sen¬sors. It was established that such a treatment forms some slow donor surface centers with a desorption time of x=(3.3 ± 0.1)105 s, that significantly enhance the sensitivity of the sensors. A sensitivity threshold to ammonia vapors of — 0,1 Па was reached (that corresponds to 1 ppm), as well a sensitivity of 40nA/Pa to ПН3 vapars and 25nA/kPa to water vapors. Upper limit of the sensors sen¬sitivity range to ammonia vapors after the treatment is of 200 Pa and is due to the presence of some surface levels of 0.18-0.20 eV depth. The widening of the sensitivity range of the sensors as a result of the treatment enabled to establish some slow deep surface levels in GaAs.uk
dc.description.abstractИсследовано влияние длительной выдержки p-n переходов на основе GaAs во влажных парах NH3 с парциальным давлением 12 кПа на их характеристики как сенсоров паров воды и аммиака. Обнаружено, что указанная обработка приводит к образованию медленных донорных поверхностных центров со временем десорбции т=(3,3 ± 0,1) 105с, которые существенно повышают чувствительность сенсоров. Достигнут порог чувствительности сенсоров к парам аммиака pamin=0,1 Па (соответствует 1ppm), чувствительности 40 нА/Па к парам NH3 та 25 нА/кПa к парам воды. Верхняя граница области чувствительности сенсоров паров аммиака после указанной обработки составляет 200Па и обусловлена присутствием поверхностных уровней глубиной 0,18-0,20 эВ. Расширение области чувствительности сенсора в результате обработки дало возможность обнаружить несколько медленных глубоких поверхностных уровней в GaAs.uk
dc.language.isoukuk
dc.publisherОдеський національний університет імені І. І. Мечниковаuk
dc.relation.ispartofseries;Т. 10, № 1.-
dc.subjectгазовий сенсорuk
dc.subjectчутливістьuk
dc.subjectp-n перехідuk
dc.subjectповерхневе легуванняuk
dc.subjectглибокі рівніuk
dc.subjectпровідний каналuk
dc.subjectgas sensoruk
dc.subjectsensitivityuk
dc.subjectp-n junctionuk
dc.subjectsurface dopinguk
dc.subjectdeep levelsuk
dc.subjectconducting channeluk
dc.subjectгазовый сенсорuk
dc.subjectчувствительностьuk
dc.subjectp-n переходuk
dc.subjectповерхностное легирование,uk
dc.subjectглубокие уровниuk
dc.subjectпроводящий каналuk
dc.titleВПЛИВ ПОВЕРХНЕВОГО ЛЕГУВАННЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ P-N ПЕРЕХОДІВ НА ОСНОВІ GaAs ЯК ГАЗОВИХ СЕНСОРІВuk
dc.title.alternativeEFFECT OF SURFACE DOPING ON THE CHARACTERISTICS OF GaAs P-N JUNCTIONS AS GAS SENSORSuk
dc.title.alternativeВЛИЯНИЕ ПОВЕРХНОСТНОГО ЛЕГИРОВАНИЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ P-N ПЕРЕХОДОВ ОСНОВЕ GaAs КАК ГАЗОВЫХ СЕНСОРОВuk
dc.typeArticleuk
Appears in Collections:Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
114-123+.pdf560.49 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.