Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/3644
Title: ИЗГОТОВЛЕНИЕ МОНОДИСПЕРСНЫХ КЕРАМИЧЕСКИХ ПОРОШКОВ SiC И Si3N4 С ПРИМЕНЕНИЕМ СО2-ЛАЗЕРА
Other Titles: ВИГОТОВЛЕННЯ МОНОДИСПЕРСНИХ КЕРАМІЧНИХ ПОРОШКІВ SiC I Si3N4 3 ВИКОРИСТАННЯМ СО2-ЛАЗЕРА
FABRICATION OF CERAMIC POWDERS SiC AND Si3N4 USING C02-LASER
Authors: Курмашев, Ш. Д.
Софронков, О. Н.
Бугаева, Т. Н.
Лавренова, Т. И.
Дзюба, Н. С.
Софронков, А. Н.
Бугайова, Т. М.
Лавренова, Т. І.
Kurmashev, Sh. D.
Sofronkov, A. N.
Bugaeva, T. N.
Lavrenova, T. I.
Dzyuba, N. S.
Citation: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem
Issue Date: 2012
Publisher: Одеський національний університет
Keywords: керамика
карбид кремния
нитрид кремния
кераміка
карбід кремнію
нітрид кремнію
ceramics
silicon carbide
silicon nitride
Series/Report no.: ;Т.3(9) №4 С.76-80
Abstract: Рассмотрен процесс получения порошков SiC и Si3N4 с применением С02-лазера. Технология отличается тем, что используемые реагентные газы - силан и аммиак (для получения нитрида кремния) или этилен (для получения карбида кремния) пропускаются через луч С02-лазера. Получены мелкодисперсные, содержащие сферические частицы одинакового размера (монодисперсные), высокочистые, неагломерированные порошки SiC и Si3N4.
Запропоновано процес отримання порошків S ІС і Si3N4 з використанням С02-лазера. Технологія відрізняється тим, що реагентні гази, що використовуються, - силан і аміак (для отримання нітриду кремнію) або етилен (для отримання карбіду кремнію) пропускаються через промінь С02-лазера. При цьому виходить високочистий, неагломерований, дрібнодисперсний порошок, що містить сферичні частинки однакового розміру (монодисперсний).
The process of obtaining powders of SiC and Si3N4 with C02-laser has been studied. The technology differs in that the used reagent gases - silane and ammonia (for silicon nitride) or ethylene (for silicon carbide) are passed through the C02-laser beam. Fine agglomerated powders of high purity SiC and Si3N4 containing spherical particles of the same size (monodispersed) have been obtained
Description: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журнал.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/3644
Appears in Collections:Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
SEMST_04.03.76-80+.pdf239.56 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.