УРОКИ НАНОЕЛЕКТРОНІКИ: ВИНИКНЕННЯ СТРУМУ, ФОРМУЛЮВАННЯ ЗАКОНУ ОМА І МОДИ ПРОВІДНОСТІ В КОНЦЕПЦІЇ «ЗНИЗУ-ВГОРУ»
Вантажиться...
Дата
2012
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет
Анотація
В рамках концепції «знизу-вгору», що широко застосовується в теоретичній і прикладній наноелектроніці, дано огляд загальних питань електронної провідності, причин виникнення струму та ролі електрохімічних потенціалів і фермівських функцій в цьому процесі, моделі пружного резистора, балістичного і дифузійного транспорту, мод провідності, провідників п- і р-типу та графену, обґрунтовано альтернативне формулювання закону Ома.
General questions of electronic conductivity, current generation based on the use of electrochemical potentials and Fermi functions, elastic resistor model, ballistic and diffusion transport, conductivity modes, n- and p-conductors and graphene, new formulation of Ohm's law are owerviewed in the frame of «bottom-up» approach, widely applied in modern nanoelectronics.
В рамках концепции «снизу-вверх», широко применяемой в теоретической и прикладной наноэлектронике, дан обзор общих вопросов электронной проводимости, причин возникновения тока и роли электрохимических потенциалов и фермиевских функций в этом процессе, модели упругого резистора, баллистического и диффузионного транспорта, мод проводимости, проводников п- и р-типа и графена и обоснована новая формулировка закона Ома.
General questions of electronic conductivity, current generation based on the use of electrochemical potentials and Fermi functions, elastic resistor model, ballistic and diffusion transport, conductivity modes, n- and p-conductors and graphene, new formulation of Ohm's law are owerviewed in the frame of «bottom-up» approach, widely applied in modern nanoelectronics.
В рамках концепции «снизу-вверх», широко применяемой в теоретической и прикладной наноэлектронике, дан обзор общих вопросов электронной проводимости, причин возникновения тока и роли электрохимических потенциалов и фермиевских функций в этом процессе, модели упругого резистора, баллистического и диффузионного транспорта, мод проводимости, проводников п- и р-типа и графена и обоснована новая формулировка закона Ома.
Опис
Ключові слова
наноелектроніка, молекулярна електроніка, знизу-вгору, електричний струм, електрохімічний потенціал, функція Фермі, пружний резистор, моди провідності, закон Ома, провідники n-типу, провідники р-типу, графен, nanoelectronics, molecular electronics, bottom-up, electric current, electrochemical potential, Fermi function, elastic resistor, conductivity modes, Ohm's law, n-type conductors, p-type conductors, graphene, наноэлектроника, молекулярная электроника, снизу-вверх, электрический ток, электрохимический потенциал, функция Ферми, упругий резистор, моды проводимости, закон Ома, проводники n-типа, проводники р-типа, графен
Бібліографічний опис
Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies