Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/3643
Title: УРОКИ НАНОЕЛЕКТРОНІКИ: ВИНИКНЕННЯ СТРУМУ, ФОРМУЛЮВАННЯ ЗАКОНУ ОМА І МОДИ ПРОВІДНОСТІ В КОНЦЕПЦІЇ «ЗНИЗУ-ВГОРУ»
Other Titles: LESSONS OF NANOELECTRONICS: CURRENT GENERATION, OHM'S LAW FORMULATION AND CONDUCTION MODES IN «ВОТТОМ-UP» APPROACH
УРОКИ НАНОЭЛЕКТРОННКН: ВОЗНИКНОВЕНИЕ ТОКА, ФОРМУЛИРОВКА ЗАКОНА ОМА И МОДЫ ПРОВОДИМОСТИ В КОНЦЕПЦИИ «СНИЗУ-ВВЕРХ»
Authors: Кругляк, Ю. О.
Кругляк, Н. Ю.
Стріха, М. В.
Kruglyak, Yu. O.
Kruglyak, N. E.
Strikha, M. V.
Кругляк, Ю. А.
Кругляк, Н. Е.
Стриха, М. В.
Citation: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem
Issue Date: 2012
Publisher: Одеський національний університет
Keywords: наноелектроніка
молекулярна електроніка
знизу-вгору
електричний струм
електрохімічний потенціал
функція Фермі
пружний резистор
моди провідності
закон Ома
провідники n-типу
провідники р-типу
графен
nanoelectronics
molecular electronics
bottom-up
electric current
electrochemical potential
Fermi function
elastic resistor
conductivity modes
Ohm's law
n-type conductors
p-type conductors
graphene
наноэлектроника
молекулярная электроника
снизу-вверх
электрический ток
электрохимический потенциал
функция Ферми
упругий резистор
моды проводимости
закон Ома
проводники n-типа
проводники р-типа
графен
Series/Report no.: ;Т.3(9) №4 С.5-29
Abstract: В рамках концепції «знизу-вгору», що широко застосовується в теоретичній і прикладній наноелектроніці, дано огляд загальних питань електронної провідності, причин виникнення струму та ролі електрохімічних потенціалів і фермівських функцій в цьому процесі, моделі пружного резистора, балістичного і дифузійного транспорту, мод провідності, провідників п- і р-типу та графену, обґрунтовано альтернативне формулювання закону Ома.
General questions of electronic conductivity, current generation based on the use of electrochemical potentials and Fermi functions, elastic resistor model, ballistic and diffusion transport, conductivity modes, n- and p-conductors and graphene, new formulation of Ohm's law are owerviewed in the frame of «bottom-up» approach, widely applied in modern nanoelectronics.
В рамках концепции «снизу-вверх», широко применяемой в теоретической и прикладной наноэлектронике, дан обзор общих вопросов электронной проводимости, причин возникновения тока и роли электрохимических потенциалов и фермиевских функций в этом процессе, модели упругого резистора, баллистического и диффузионного транспорта, мод проводимости, проводников п- и р-типа и графена и обоснована новая формулировка закона Ома.
Description: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журнал.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/3643
Appears in Collections:Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
SEMST_04.03.5-29+.pdf1.78 MBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.