DSpace О системе DSpace
україн русск eng
[Зарегистрироваться]
 

Repository at Odesa I.Mechnikov National University >
Фізичний факультет >
"Сенсорна електроніка і мікросистемні технології" >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/3643

Название: УРОКИ НАНОЕЛЕКТРОНІКИ: ВИНИКНЕННЯ СТРУМУ, ФОРМУЛЮВАННЯ ЗАКОНУ ОМА І МОДИ ПРОВІДНОСТІ В КОНЦЕПЦІЇ «ЗНИЗУ-ВГОРУ»
Другие названия: LESSONS OF NANOELECTRONICS: CURRENT GENERATION, OHM'S LAW FORMULATION AND CONDUCTION MODES IN «ВОТТОМ-UP» APPROACH
УРОКИ НАНОЭЛЕКТРОННКН: ВОЗНИКНОВЕНИЕ ТОКА, ФОРМУЛИРОВКА ЗАКОНА ОМА И МОДЫ ПРОВОДИМОСТИ В КОНЦЕПЦИИ «СНИЗУ-ВВЕРХ»
Авторы: Кругляк, Ю. О.
Кругляк, Н. Ю.
Стріха, М. В.
Kruglyak, Yu. O.
Kruglyak, N. E.
Strikha, M. V.
Кругляк, Ю. А.
Кругляк, Н. Е.
Стриха, М. В.
Ключевые слова: наноелектроніка
молекулярна електроніка
знизу-вгору
електричний струм
електрохімічний потенціал
функція Фермі
пружний резистор
моди провідності
закон Ома
провідники n-типу
провідники р-типу
графен
nanoelectronics
molecular electronics
bottom-up
electric current
electrochemical potential
Fermi function
elastic resistor
conductivity modes
Ohm's law
n-type conductors
p-type conductors
graphene
наноэлектроника
молекулярная электроника
снизу-вверх
электрический ток
электрохимический потенциал
функция Ферми
упругий резистор
моды проводимости
закон Ома
проводники n-типа
проводники р-типа
графен
Дата публикации: 2012
Издатель: Одеський національний університет
Источник: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem
Серия/номер: ;Т.3(9) №4 С.5-29
Краткий осмотр (реферат): В рамках концепції «знизу-вгору», що широко застосовується в теоретичній і прикладній наноелектроніці, дано огляд загальних питань електронної провідності, причин виникнення струму та ролі електрохімічних потенціалів і фермівських функцій в цьому процесі, моделі пружного резистора, балістичного і дифузійного транспорту, мод провідності, провідників п- і р-типу та графену, обґрунтовано альтернативне формулювання закону Ома.
General questions of electronic conductivity, current generation based on the use of electrochemical potentials and Fermi functions, elastic resistor model, ballistic and diffusion transport, conductivity modes, n- and p-conductors and graphene, new formulation of Ohm's law are owerviewed in the frame of «bottom-up» approach, widely applied in modern nanoelectronics.
В рамках концепции «снизу-вверх», широко применяемой в теоретической и прикладной наноэлектронике, дан обзор общих вопросов электронной проводимости, причин возникновения тока и роли электрохимических потенциалов и фермиевских функций в этом процессе, модели упругого резистора, баллистического и диффузионного транспорта, мод проводимости, проводников п- и р-типа и графена и обоснована новая формулировка закона Ома.
Описание: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журнал.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/3643
Располагается в коллекциях:"Сенсорна електроніка і мікросистемні технології"

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
SEMST_04.03.5-29+.pdf1,78 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
View Statistics

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.

 

п╞пҐпЄп╣п╨я│ я├п╦я┌п╦я─п╬п╡п╟пҐп╦я▐ DSpace Software Copyright © 2002-2005 MIT and Hewlett-Packard - Обратная связь