RADIATION IMMUNITY OF THE PLANAR n-p-n-TRANSISTORS
Дата
2009
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Астропринт
Анотація
Influence of streams of electrons, neutrons and !–quantum is investigational on the amplification factor of bipolar planar-epitaxial
transistors. It is shown that a preliminary thermal-electric-train allows to increase of radiation immunity in 2–3 times. Исследовалось влияние потоков электронов, нейтронов и !-квантов на коэффициент усиления биполярных планарноэпитаксиальных
транзисторов. Показано, что предварительная электротермотренировка позволяет увеличить радиационную
устойчивость приборов в 2 раза. Досліджувався вплив потоків електронів, нейтронів і ! –квантів на коефіцієнт підсилення біполярних планарно-епітакс
ійних транзисторів. Показано, що попереднє електротермотренування дозволяє підвищити радіаційну стійкість приладів в
2 рази.
Опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2009.
Ключові слова
neytrons, adiation immuniti, transistors, нейтроны, радиационная стойкость, транзистор, нейтрони, радіаційна стійкість, транзистори
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics