Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/348
Название: RADIATION IMMUNITY OF THE PLANAR n-p-n-TRANSISTORS
Другие названия: РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ ПЛАНАРНЫХ n-p-n-ТРАНЗИСТОРОВ
РАДІАЦІЙНА СТІЙКІСТЬ ПЛАНАРНИХ n-p-n -ТРАНЗИСТОРІВ
Авторы: Vikulin, Ivan M.
Kurmashev, Shamil D.
Markolenko, P. YU.
Gechev, P. P.
Викулин, Иван Михайлович
Курмашев, Шамиль Джамашевич
Марколенко, П. Ю.
Гечев, П. П.
Вікулін, Іван Михайлович
Курмашев, Шаміль Джамашевич
Марколенко, П. Ю.
Гечев, П. П.
Библиографическое описание: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Дата публикации: 2009
Издательство: Астропринт
Ключевые слова: neytrons
adiation immuniti
transistors
нейтроны
радиационная стойкость
транзистор
нейтрони
радіаційна стійкість
транзистори
Серия/номер: ;№ 18. - С. 136 - 139.
Краткий осмотр (реферат): Influence of streams of electrons, neutrons and !–quantum is investigational on the amplification factor of bipolar planar-epitaxial transistors. It is shown that a preliminary thermal-electric-train allows to increase of radiation immunity in 2–3 times. Исследовалось влияние потоков электронов, нейтронов и !-квантов на коэффициент усиления биполярных планарноэпитаксиальных транзисторов. Показано, что предварительная электротермотренировка позволяет увеличить радиационную устойчивость приборов в 2 раза. Досліджувався вплив потоків електронів, нейтронів і ! –квантів на коефіцієнт підсилення біполярних планарно-епітакс ійних транзисторів. Показано, що попереднє електротермотренування дозволяє підвищити радіаційну стійкість приладів в 2 рази.
Описание: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2009.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/348
Располагается в коллекциях:Photoelectronics

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
fotoel_18_2009_136-139.pdf76.28 kBAdobe PDFЭскиз
Просмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.