Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/348
Title: RADIATION IMMUNITY OF THE PLANAR n-p-n-TRANSISTORS
Other Titles: РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ ПЛАНАРНЫХ n-p-n-ТРАНЗИСТОРОВ
РАДІАЦІЙНА СТІЙКІСТЬ ПЛАНАРНИХ n-p-n -ТРАНЗИСТОРІВ
Authors: Vikulin, Ivan M.
Kurmashev, Shamil D.
Markolenko, P. YU.
Gechev, P. P.
Викулин, Иван Михайлович
Курмашев, Шамиль Джамашевич
Марколенко, П. Ю.
Гечев, П. П.
Вікулін, Іван Михайлович
Курмашев, Шаміль Джамашевич
Марколенко, П. Ю.
Гечев, П. П.
Citation: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Issue Date: 2009
Publisher: Астропринт
Keywords: neytrons
adiation immuniti
transistors
нейтроны
радиационная стойкость
транзистор
нейтрони
радіаційна стійкість
транзистори
Series/Report no.: ;№ 18. - С. 136 - 139.
Abstract: Influence of streams of electrons, neutrons and !–quantum is investigational on the amplification factor of bipolar planar-epitaxial transistors. It is shown that a preliminary thermal-electric-train allows to increase of radiation immunity in 2–3 times. Исследовалось влияние потоков электронов, нейтронов и !-квантов на коэффициент усиления биполярных планарноэпитаксиальных транзисторов. Показано, что предварительная электротермотренировка позволяет увеличить радиационную устойчивость приборов в 2 раза. Досліджувався вплив потоків електронів, нейтронів і ! –квантів на коефіцієнт підсилення біполярних планарно-епітакс ійних транзисторів. Показано, що попереднє електротермотренування дозволяє підвищити радіаційну стійкість приладів в 2 рази.
Description: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2009.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/348
Appears in Collections:Photoelectronics

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
fotoel_18_2009_136-139.pdf76.28 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.