The study of homogeneous and heterogeneous sensitized crystals Of cadmium sulfide. Part V. Inhomogeneous alloying
Вантажиться...
Дата
2022
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
The technology of CdS semiconductor crystals processing in the corona discharge is developed.
It is established that as a result of this exposure, the samples acquire alternating spectral
sensitivity. The observed phenomenon is explained by the emergence of a saddle of the potential
barrier in the surface region of the element, the unusual properties which can allow the creation
of a new type of device.
Разработана технология обработки кристаллов полупроводников CdS в коронном разряде. Установлено, что в результате такого воздействия образцы приобретают перемен- ную спектральную чувствительность. Наблюдаемое явление объясняется появлением седла потенциального барьера в приповерхностной области элемента, необычные свойства которого могут позволить создать новый тип устройства.
Розроблено технологію обробки кристалів напівпровідників CdS у коронному розряді. Встановлено, що в результаті такого впливу зразки набувають змінної спектральної чутли- вості.Спостережуване явище пояснюється появою сідла потенційного бар'єру в приповерхневій області елемента, незвичайні властивості якого можуть створити новий тип пристрою.
Разработана технология обработки кристаллов полупроводников CdS в коронном разряде. Установлено, что в результате такого воздействия образцы приобретают перемен- ную спектральную чувствительность. Наблюдаемое явление объясняется появлением седла потенциального барьера в приповерхностной области элемента, необычные свойства которого могут позволить создать новый тип устройства.
Розроблено технологію обробки кристалів напівпровідників CdS у коронному розряді. Встановлено, що в результаті такого впливу зразки набувають змінної спектральної чутли- вості.Спостережуване явище пояснюється появою сідла потенційного бар'єру в приповерхневій області елемента, незвичайні властивості якого можуть створити новий тип пристрою.
Опис
Ключові слова
inhomogeneous alloying, corona discharge, barrier structure, неоднородное легирование, коронный разряд, структура барьера, неоднорідне легування, короний разряд, структура бар’єра
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics