Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/34199
Title: The study of homogeneous and heterogeneous sensitized crystals Of cadmium sulfide. Part V. Inhomogeneous alloying
Other Titles: Исследование однородных и гетерогенных cенсибилизированных кристаллов сульфида кадмия. Часть V. Неоднородное легирование
Дослідження однорідних і гетерогенних сенсибілізованих кристалів сульфіду кадмію. Частина V. Неоднорідне легування
Authors: Kulikov, S. S.
Brytavskyi, Yevhen V.
Borshchak, Vitalii A.
Zatovska, Nataliia P.
Kutalova, Mariia I.
Karakis, Yurii M.
Куликов, С. С.
Бритавський, Євген Вікторович
Борщак, Віталій Анатолійович
Затовська, Наталія Петрівна
Куталова, Марія Іванівна
Каракіс, Юрій Миколайович
Citation: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Issue Date: 2022
Publisher: Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Keywords: inhomogeneous alloying
corona discharge
barrier structure
неоднородное легирование
коронный разряд
структура барьера
неоднорідне легування
короний разряд
структура бар’єра
Series/Report no.: №30
Abstract: The technology of CdS semiconductor crystals processing in the corona discharge is developed. It is established that as a result of this exposure, the samples acquire alternating spectral sensitivity. The observed phenomenon is explained by the emergence of a saddle of the potential barrier in the surface region of the element, the unusual properties which can allow the creation of a new type of device.
Разработана технология обработки кристаллов полупроводников CdS в коронном разряде. Установлено, что в результате такого воздействия образцы приобретают перемен- ную спектральную чувствительность. Наблюдаемое явление объясняется появлением седла потенциального барьера в приповерхностной области элемента, необычные свойства которого могут позволить создать новый тип устройства.
Розроблено технологію обробки кристалів напівпровідників CdS у коронному розряді. Встановлено, що в результаті такого впливу зразки набувають змінної спектральної чутли- вості.Спостережуване явище пояснюється появою сідла потенційного бар'єру в приповерхневій області елемента, незвичайні властивості якого можуть створити новий тип пристрою.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/34199
Other Identifiers: UDC 621.315.592
Appears in Collections:Photoelectronics

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
35-45.pdf307.92 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.