Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/3398
Title: EFFECT OF AMMONIA VAPORS ON THE BREAKDOWN CHARACTERISTICS OF Si AND GaAs P-N JUNCTIONS
Other Titles: ВПЛИВ ПАРІВ АМІАКУ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРОБОЮ P-N ПЕРЕХОДІВ НА ОСНОВІ Si ТА GaAs
ВЛИЯНИЕ ПАРОВ АММИАКА НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРОБОЯ P-N ПЕРЕХОДОВ НА ОСНОВЕ Si И GaAs
Authors: Ptashchenko, Oleksandr O.
Ptashchenko, Fedir O.
Gilmutdinova, Valeriia R.
Dovganyuk, G. V.
Птащенко, Олександр Олександрович
Птащенко, Федір Олександрович
Гільмутдінова, Валерія Рафаїлівна
Довганюк, Г. В.
Гильмутдинова, Валерия Рафаэловна
Птащенко, Александр Александрович
Citation: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Issue Date: 2012
Publisher: Одесский национальный университете имени И. И. Мечникова
Keywords: p-n junction
gas sensor
reverse current
breakdown voltage
surface center
p-n перехід
газовий сенсор
зворотний струм
напруга пробою
поверхневий центр
p-n переход
газовый сенсор
обратный ток
напряжение пробоя
поверхностный центр
Series/Report no.: ;№ 21, p.121-126
Abstract: The influence of ammonia and water vapors on I-V characteristics of the reverse currents in Si and GaAs p-n junctions was studied. At most of the studied samples, the ammonia- and water vapors lover the breakdown voltage. At some devices an opposite effect was observed. This difference is due to dominance of different surface centers, which have donor or acceptor properties. And some p-n junctions exhibit a fixed breakdown voltage independently on the presence of ammonia and water vapors. This is due to the bulk location of the breakdown in these samples. Thus, the influence of ammonia vapors on the breakdown voltage provides some information on the localization of the breakdown and on the charge state of surface centers
Досліджено вплив парів аміаку та води на вольт-амперні характеристики зворотних струмів у p-n переходах на основі Si та GaAs. В більшості досліджених зразків пари аміаку та води зменшують напругу пробою. На деяких зразках спостерігався зворотний ефект. Ця різниця обумовлена домінуванням різних поверхневих центрів, які мають донорні або акцепторні властивості. Деякі p-n переходи мають фіксовану напругу пробою незалежно від присутності парів аміаку та води. Дана поведінка обумовлена локалізацією пробою в об'ємі кристалу в таких зразках. Таким чином, вплив парів аміаку на напругу пробою дає інформацію про локалізацію пробою і про зарядовий стан поверхневих центрів
Исследовано влияние паров аммиака и воды на вольт-амперные характеристики обратных токов в p-n переходах на основе Si и GaAs. В большинстве исследованных образцов пары аммиака и воды уменьшают напряжение пробоя. На некоторых образцах наблюдался обратный эффект. Это различие обусловлено доминированием различных поверхностных центров, имеющих донорные либо акцепторные свойства. Некоторые p-n переходы имеют фиксированное напряжение пробоя независимо от присутствия паров аммиака и воды. Такое поведение обусловлено локализацией пробоя в объеме кристалла в таких образцах. Таким образом, влияние паров аммиака на напряжение пробоя дает информацию о локализации пробоя и о зарядовом состоянии поверхностных центров
Description: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса, 2012. - англ.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/3398
Appears in Collections:Photoelectronics

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Fotoelectronika_21.121-126.pdf173.91 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.