Features of photocurrent relaxation in sensor-based CdS crystals or features of photocurrent relaxation in crystals with fast and slow recombination centres
Дата
2012
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одесский национальный университете имени И. И. Мечникова
Анотація
The fast relaxation of the photocurrent associated with electronic processes has been explored. The external factors effect has been investigated. It was shown that in contrast to the accepted view of the phenomena, the of carriers' transitions mechanism includes thermal excitation in sensitivity centers, and only then transition to the free state.
Исследована быстрая релаксация фототока, связанная с электронными процессами. Изучено влияние на неё внешних факторов. Показано, что в отличие от действующих представлений, процесс перехода носителей включает в себя сначала термическую активацию на возбуждённые уровни центров чувствительности, а затем в свободное состояние.
Исследована быстрая релаксация фототока, связанная с электронными процессами. Изучено влияние на неё внешних факторов. Показано, что в отличие от действующих представлений, процесс перехода носителей включает в себя сначала термическую активацию на возбуждённые уровни центров чувствительности, а затем в свободное состояние.
Опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса, 2012. - англ.
Ключові слова
relacxation, photocurrent, recombination, релаксация, фототок, рекомбинация
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics