Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/3397
Title: FEATURES OF PHOTOCURRENT RELAXATION IN SENSOR-BASED CdS CRYSTALS OR FEATURES OF PHOTOCURRENT RELAXATION IN CRYSTALS WITH FAST AND SLOW RECOMBINATION CENTRES
Other Titles: ОСОБЕННОСТИ РЕЛАКСАЦИИ ФОТОТОКА В КРИСТАЛЛАХ С ЦЕНТРАМИ БЫСТРОЙ И МЕДЛЕННОЙ РЕКОМБИНАЦИИ
Authors: Dragoev, A. A.
Ilyashenko, A. S.
Babinchuk, V. S.
Karakis, Yurii M.
Kutalova, Mariia I.
Драгоев, А. А.
Ильяшенко, А. С.
Каракис, Юрий Николаевич
Куталова, Мария Ивановна
Бабинчук, В. С.
Куталова, Марія Іванівна
Citation: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Issue Date: 2012
Publisher: Одесский национальный университете имени И. И. Мечникова
Keywords: relacxation
photocurrent
recombination
релаксация
фототок
рекомбинация
Series/Report no.: ;№ 21, p.110-115
Abstract: The fast relaxation of the photocurrent associated with electronic processes has been explored. The external factors effect has been investigated. It was shown that in contrast to the accepted view of the phenomena, the of carriers' transitions mechanism includes thermal excitation in sensitivity centers, and only then transition to the free state
Исследована быстрая релаксация фототока, связанная с электронными процессами. Изучено влияние на неё внешних факторов. Показано, что в отличие от действующих представлений, процесс перехода носителей включает в себя сначала термическую активацию на возбуждённые уровни центров чувствительности, а затем в свободное состояние
Description: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса, 2012. - англ.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/3397
Appears in Collections:Photoelectronics

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Fotoelectronika_21.110-115.pdf120.29 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.