Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/3391
Назва: EVOLUTION OF STRUCTURAL DEFECTS IN SILICON CAUSED BY HIGH-TEMPERATURE OXIDATION
Інші назви: ЭВОЛЮЦИЯ СТРУКТУРНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИ, ВЫЗВАННОЕ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫМ ОКИСЛЕНИЕМ
ЕВОЛЮЦИЯ СТРУКТУРНИХ ДЕФЕКТІВ В КРЕМНІЇ, ЯКЕ ВИКЛИКАНЕ ВИСОКОТЕМПЕРАТУРНИМ ОКИСЛЕННЯМ
Автори: Iatsunskyi, Igor R.
Яцунский, Игорь Ростиславович
Яцунський, Ігор Ростиславович
Бібліографічний опис: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Дата публікації: 2012
Видавництво: Одесский национальный университете имени И. И. Мечникова
Ключові слова: dislocations
self-organization
Si-SiO2 structure
дислокации
самоорганизация
структура Si-Si02
дислокації
самоорганізація
структура Si-Si02
Серія/номер: ;№ 21, p.43-49
Короткий огляд (реферат): The dislocation self-organization processes in near-surface silicon layers of Si-SiO2 during high temperature oxidization have been investigated. It was observed the complex destruction of these layers caused by relaxation of mechanical stresses. We have proposed the defect formation mechanism of near-surface layers in Si-SiO2 structure. For self-organization processes to be explained, the synergetic method was applied. It was shown that the formation of periodical dislocation structures at the interface is a consequence of the spatial instability of the dislocation distribution in the crystal, their self-organization due to correlation effects between the oxygen diffusing along structural defects and an ensemble of dislocations
Процессы самоорганизации дислокаций в приповерхностных слоев кремния в Si-Si02 при высокотемпературном окислении были исследованы в данной работе. Было определено, что появление сложной дефектной структуры вызвано релаксацией механических напряжений. Было предложено механизм образования дефектов в приповерхностных слоях Si-Si02. Процессы самоорганизации объясняется, в рамках синергетического метода. Было показано, что формирование периодической структуры дислокации на границе является следствием пространственной неустойчивости распределения дислокаций в кристалле, их самоорганизации за счет корреляций между кислородом, который распространяется вдоль структурных дефектов и ансамбля дислокаций
Процеси самоорганізації дислокацій в приповерхневих шарів кремнію в Si-Si02 при високотемпературному окисленні були досліджені в даній роботі. Було визначено, що поява складної дефектної структури викликано релаксацією механічних напружень. Було запропоновано механізм утворення дефектів у приповерхневих шарах Si-Si02. Процеси самоорганізації пояснюється, в рамках синергетичного методу. Було показано, що формування періодичної структури дислокації на границі є наслідком просторової нестійкості розподілу дислокацій в кристалі, їх самоорганізації за рахунок кореляцій між киснем, що поширюється уздовж структурних дефектів та ансамблю дислокацій
Опис: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса, 2012. - англ.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/3391
Розташовується у зібраннях:Photoelectronics

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Fotoelectronika_21.43-49.pdf551.84 kBAdobe PDFЕскіз
Переглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.