DSpace О системе DSpace
україн русск eng
[Зарегистрироваться]
 

Repository at Odesa I.Mechnikov National University >
Фізичний факультет >
"Фотоэлектроника" >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/3391

Название: EVOLUTION OF STRUCTURAL DEFECTS IN SILICON CAUSED BY HIGH-TEMPERATURE OXIDATION
Другие названия: ЭВОЛЮЦИЯ СТРУКТУРНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИ, ВЫЗВАННОЕ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫМ ОКИСЛЕНИЕМ
ЕВОЛЮЦИЯ СТРУКТУРНИХ ДЕФЕКТІВ В КРЕМНІЇ, ЯКЕ ВИКЛИКАНЕ ВИСОКОТЕМПЕРАТУРНИМ ОКИСЛЕННЯМ
Авторы: Iatsunskyi, I. R.
Яцунский, И. Р.
Яцунський, I. Р.
Ключевые слова: dislocations
self-organization
Si-SiO2 structure
дислокации
самоорганизация
структура Si-Si02
дислокації
самоорганізація
структура Si-Si02
Дата публикации: 2012
Издатель: Одесский национальный университете имени И. И. Мечникова
Источник: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Серия/номер: ;№ 21, p.43-49
Краткий осмотр (реферат): The dislocation self-organization processes in near-surface silicon layers of Si-SiO2 during high temperature oxidization have been investigated. It was observed the complex destruction of these layers caused by relaxation of mechanical stresses. We have proposed the defect formation mechanism of near-surface layers in Si-SiO2 structure. For self-organization processes to be explained, the synergetic method was applied. It was shown that the formation of periodical dislocation structures at the interface is a consequence of the spatial instability of the dislocation distribution in the crystal, their self-organization due to correlation effects between the oxygen diffusing along structural defects and an ensemble of dislocations
Процессы самоорганизации дислокаций в приповерхностных слоев кремния в Si-Si02 при высокотемпературном окислении были исследованы в данной работе. Было определено, что появление сложной дефектной структуры вызвано релаксацией механических напряжений. Было предложено механизм образования дефектов в приповерхностных слоях Si-Si02. Процессы самоорганизации объясняется, в рамках синергетического метода. Было показано, что формирование периодической структуры дислокации на границе является следствием пространственной неустойчивости распределения дислокаций в кристалле, их самоорганизации за счет корреляций между кислородом, который распространяется вдоль структурных дефектов и ансамбля дислокаций
Процеси самоорганізації дислокацій в приповерхневих шарів кремнію в Si-Si02 при високотемпературному окисленні були досліджені в даній роботі. Було визначено, що поява складної дефектної структури викликано релаксацією механічних напружень. Було запропоновано механізм утворення дефектів у приповерхневих шарах Si-Si02. Процеси самоорганізації пояснюється, в рамках синергетичного методу. Було показано, що формування періодичної структури дислокації на границі є наслідком просторової нестійкості розподілу дислокацій в кристалі, їх самоорганізації за рахунок кореляцій між киснем, що поширюється уздовж структурних дефектів та ансамблю дислокацій
Описание: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса, 2012. - англ.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/3391
Располагается в коллекциях:"Фотоэлектроника"

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
Fotoelectronika_21.43-49.pdf551,84 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
View Statistics

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.

 

п╞пҐпЄп╣п╨я│ я├п╦я┌п╦я─п╬п╡п╟пҐп╦я▐ DSpace Software Copyright © 2002-2005 MIT and Hewlett-Packard - Обратная связь