Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/32740
Title: Вплив режимів сульфідної обробки на спектри фотоструму p-n переходів на основі арсеніду галію
Other Titles: Effect of sulphide treatment on the photocurrent spectra of gallium arsenide p-n junctions
Authors: Матреницька, Юлія Борисівна
Citation: Матреницька, Ю. Б. Вплив режимів сульфідної обробки на спектри фотоструму p-n переходів на основі арсеніду галію : дипломна робота магістра. – Одеса, 2021. – 34 с.
Issue Date: 2021
Publisher: Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Keywords: 104 Фізика та астрономія
сульфідна обробка
спектри фотоструму p-n переходів
арсенід галію
Abstract: Сульфідна обробка призводить до зменшення щільності поверхневих станів напівпровідників групи А IIIВ V а також суттєво зменшує швидкість поверхневої рекомбінації. Це супроводжується покращенням багатьох фізико – хімічних властивостей GaAs та приладів на його основі. Зокрема, спостерігалося зменшення прямих і зворотних струмів діодів у предпробійній області, збільшувалися коефіцієнти підсилення біполярних транзисторів, зменшувався поріг лазерної генерації, покращувалися характеристики сонячних елементів. В той же час проведені дослідження не носили систематичний характер. Залишається невідомим вплив різних режимів сульфідної обробки на електричні і фотоелектричні характеристики GaAs.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/32740
Appears in Collections:Факультет математики, фізики та інформаційних технологій

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
104_Matrenytska Yuliia Borysivna.pdf1.14 MBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.