Вплив режимів сульфідної обробки на спектри фотоструму p-n переходів на основі арсеніду галію
Вантажиться...
Дата
2021
Автори
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
Сульфідна обробка призводить до зменшення щільності поверхневих
станів напівпровідників групи А
IIIВ
V а також суттєво зменшує швидкість
поверхневої рекомбінації. Це супроводжується покращенням багатьох
фізико – хімічних властивостей GaAs та приладів на його основі. Зокрема,
спостерігалося зменшення прямих і зворотних струмів діодів у
предпробійній області, збільшувалися коефіцієнти підсилення біполярних
транзисторів, зменшувався поріг лазерної генерації, покращувалися
характеристики сонячних елементів. В той же час проведені дослідження
не носили систематичний характер. Залишається невідомим вплив різних
режимів сульфідної обробки на електричні і фотоелектричні
характеристики GaAs.
Опис
Ключові слова
104 фізика та астрономія, сульфідна обробка, спектри фотоструму p-n переходів, арсенід галію
Бібліографічний опис
Матреницька Ю. Б. Вплив режимів сульфідної обробки на спектри фотоструму p-n переходів на основі арсеніду галію : дипломна робота магістра. – Одеса, 2021. – 34 с.