ЛОКАЛЬНЕ ЕЛЕКТРОСТАТИЧНЕ ПОЛЕ В ОКОЛІ СФЕРИЧНИХ ДЕФЕКТІВ ЗАПОВНЕННЯ ОБ'ЄМУ МІКРОНЕОДНОРІДНОГО МАТЕРІАЛУ

Abstract

Нагальним імперативом досліджень у сучасних впровадженнях мікро-неоднорідних дисперсних систем, таких як метали, напівпровідники і композити з дисперсними включеннями (ДВ) нано- та мезоскопічних масштабів, є проблема розбудови теоретичного базису визначення їх ефективних електронних властивостей. Зокрема, при створенні високочутливих нанодатчиків температури і тиску, важливим контролюємими параметрами є напруженість локального електростатичного поля та тензор механічних деформацій в околі (ДВ) [1]. Методики створення нових матеріалів на основі базового, шляхом утворення в об'ємі дисперсних структур у виді множини пор, шпарин та іншого виду неоднорідностей, добре відпрацьовані та знайшли широке застосування у сучасних нанотехнологіях. Але прогноз, діагностика і керування властивостями створюваних структур наштовхуються на невирішену проблему визначення впливу електричних мікрополів ДВ на осереднені за об'ємом локальні електрофізичні характеристики мікронеоднорідних матеріалів (ММ) у залежності від визначальних параметрів (електронних, діелектричних, геометричних) множини ДВ у матриці базового матеріалу (БМ).