Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/3229
Title: ЛОКАЛЬНЕ ЕЛЕКТРОСТАТИЧНЕ ПОЛЕ В ОКОЛІ СФЕРИЧНИХ ДЕФЕКТІВ ЗАПОВНЕННЯ ОБ'ЄМУ МІКРОНЕОДНОРІДНОГО МАТЕРІАЛУ
Authors: Маренков, Володимир Ілліч
Зубков, О. Ю.
Маренков, Владимир Ильич
Marenkov, Volodymyr I.
Citation: "Дисперсные системы" XXV междн.науч.конф.Материалы конференции
Issue Date: 2012
Keywords: нанотехнологіях
механічних деформацій в околі
мікронеоднорідних матеріалів
Series/Report no.: ;С.175-176
Abstract: Нагальним імперативом досліджень у сучасних впровадженнях мікро-неоднорідних дисперсних систем, таких як метали, напівпровідники і композити з дисперсними включеннями (ДВ) нано- та мезоскопічних масштабів, є проблема розбудови теоретичного базису визначення їх ефективних електронних властивостей. Зокрема, при створенні високочутливих нанодатчиків температури і тиску, важливим контролюємими параметрами є напруженість локального електростатичного поля та тензор механічних деформацій в околі (ДВ) [1]. Методики створення нових матеріалів на основі базового, шляхом утворення в об'ємі дисперсних структур у виді множини пор, шпарин та іншого виду неоднорідностей, добре відпрацьовані та знайшли широке застосування у сучасних нанотехнологіях. Але прогноз, діагностика і керування властивостями створюваних структур наштовхуються на невирішену проблему визначення впливу електричних мікрополів ДВ на осереднені за об'ємом локальні електрофізичні характеристики мікронеоднорідних матеріалів (ММ) у залежності від визначальних параметрів (електронних, діелектричних, геометричних) множини ДВ у матриці базового матеріалу (БМ).
Description: "Дисперсные системы",XXV междн.науч.конф. материалы,17-21 сентября 2012 г. - Одесса, 2012
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/3229
Appears in Collections:Статті та доповіді ФМФІТ

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
175-176+.pdf116.03 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.