Please use this identifier to cite or link to this item:
http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/3228
Title: | ЕЛЕКТРОННІ ВЛАСТИВОСТІ МЕТАЛІВ З ПОЛІДИСПЕРСНОЮ СИСТЕМОЮ НАНОДЕФЕКТІВ ЗАПОВНЕННЯ ОБ'ЄМУ |
Authors: | Маренков, Володимир Ілліч Маренков, Владимир Ильич Marenkov, Volodymyr I. |
Citation: | "Дисперсные системы" XXV междн.науч.конф.Материалы конференции |
Issue Date: | 2012 |
Keywords: | нанотехнологій електронні властивості розподіл |
Series/Report no.: | ;С.172-174 |
Abstract: | Матеріали сучасних нанотехнологій характеризуються використанням елементів з характерним геометричним масштабом в нанометровій області. Інтенсивне застосування нанопористих металів для створення елементів схем наноприладів (зокрема нанодатчиків і високотемпературних сенсорів), нових конструкційних матеріалів на основі металевих пін і композитів [1] - висуває на передній план проблему отримання надійної інформації, щодо ефективних електронних характеристик таких систем у широкій області термодинамічних параметрів діаграми стану речовини. Наявність значної долі коволюму нано-дефектів у металевому зразку має суттєвий вплив на його електронні властивості, і є залежним як від електронних характеристик базового матеріалу, так і від параметрів функції розподілу нанодефектів заповнення об'єму (НДЗО) за розміром. Дисперсність та загальне утримання НДЗО у мікронеоднорідному матеріалі контролюються в технологічному процесі на етапі виготовлення його окремих зразків. В той же час, у готовому матеріалі безпосередній контроль параметрів ансамбля нановключень потребує витратних прецизійних досліджень методами електронної мікроскопії. |
Description: | "Дисперсные системы",XXV междн.науч.конф. материалы,17-21 сентября 2012 г. - Одесса, 2012 |
URI: | http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/3228 |
Appears in Collections: | Статті та доповіді ФМФІТ |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
172-174+.pdf | 206.86 kB | Adobe PDF | ![]() View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.