PHOTODETECTOR ON THE BASE OF UNI-JUNCTION TRANSISTOR AND PHOTO-DIODE
Вантажиться...
Дата
2008
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Астропринт
Анотація
The generators on the base of the uni-junction photo-transistor (UPhT) are used as the sensor-photo-detectors with the frequency
output. The semiconductor crystal of the n-type conductivity contains two Ohmic base contacts of the n+-type conductivity as well as
the injection emitter in a form of p-n-junction (the region of the p+-type) with the electric contacts. The possibility to raise the linearity
of the output signal and enlarge the sensitivity of the sensor on the base of UPhT was proposed through introduction of additional
n+-region into p+-emitter. Генераторы на основе однопереходных фототранзисторов (ОФТ) используются в качестве сенсоров–фотоприемников
с частотным выходом. Полупроводниковый кристалл n-типа проводимости содержит два омических базовых контакта n+-
типа проводимости, а также инжектирующий эмиттерный p-n–переход (область p+-типа) с электрическими выводами. Показана
возможность повысить линейность выходного сигнала и увеличить чувствительность датчика на основе однопереходного
фототранзистора введением дополнительной n+–области в p+-эмиттер. Генератори на базі одноперехідних фототранзисторів (ОФТ) використовуються в якості сенсорів-фотоприймачів з частотним
вихідом. Напівпровідниковий кристалл n-типу провідності містить два омічних базових контакти n+-типу провідності,
а також інжектуючий емітерний p-n–перехід (область p+-типу) з електричними виводами. Показана можливість підвищення
лінійністі вихідного сигналу та зростання чутливості датчика на базі ОФТ шляхом введення додаткової n+-області в p+-
емітер.
Опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2008.
Ключові слова
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics