Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/295
Title: PHOTODETECTOR ON THE BASE OF UNI-JUNCTION TRANSISTOR AND PHOTO-DIODE
Other Titles: ФОТОПРИЕМНИК НА ОСНОВЕ ОДНОПЕРЕХОДНОГО ТРАНЗИСТОРА И ФОТОДИОДА
ФОТОПРИЙМАЧ НА БАЗІ ОДНОПЕРЕХІДНОГО ТРАНЗИСТОРА ТА ФОТОДІОДА
Authors: Vikulin, Ivan M.
Kurmashev, Shamil D.
Nikiforov, S. N.
Panfilov, M. I.
Викулин, Иван Михайлович
Курмашев, Шамиль Джамашевич
Никифоров, С. Н.
Панфилов, М. И.
Вікулін, Іван Михайлович
Курмашев, Шаміль Джамашевич
Никифоров, С. Н.
Панфілов, М. І.
Citation: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Issue Date: 2008
Publisher: Астропринт
Series/Report no.: ;№ 17. - Р. 88 - 90.
Abstract: The generators on the base of the uni-junction photo-transistor (UPhT) are used as the sensor-photo-detectors with the frequency output. The semiconductor crystal of the n-type conductivity contains two Ohmic base contacts of the n+-type conductivity as well as the injection emitter in a form of p-n-junction (the region of the p+-type) with the electric contacts. The possibility to raise the linearity of the output signal and enlarge the sensitivity of the sensor on the base of UPhT was proposed through introduction of additional n+-region into p+-emitter. Генераторы на основе однопереходных фототранзисторов (ОФТ) используются в качестве сенсоров–фотоприемников с частотным выходом. Полупроводниковый кристалл n-типа проводимости содержит два омических базовых контакта n+- типа проводимости, а также инжектирующий эмиттерный p-n–переход (область p+-типа) с электрическими выводами. Показана возможность повысить линейность выходного сигнала и увеличить чувствительность датчика на основе однопереходного фототранзистора введением дополнительной n+–области в p+-эмиттер. Генератори на базі одноперехідних фототранзисторів (ОФТ) використовуються в якості сенсорів-фотоприймачів з частотним вихідом. Напівпровідниковий кристалл n-типу провідності містить два омічних базових контакти n+-типу провідності, а також інжектуючий емітерний p-n–перехід (область p+-типу) з електричними виводами. Показана можливість підвищення лінійністі вихідного сигналу та зростання чутливості датчика на базі ОФТ шляхом введення додаткової n+-області в p+- емітер.
Description: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2008.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/295
Appears in Collections:Photoelectronics

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Fotoel_17_88-90.pdf68.91 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.