DSpace О системе DSpace
україн русск eng
[Зарегистрироваться]
 

Repository at Odesa I.Mechnikov National University >
Фізичний факультет >
"Фотоэлектроника" >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/295

Название: PHOTODETECTOR ON THE BASE OF UNI-JUNCTION TRANSISTOR AND PHOTO-DIODE
Другие названия: ФОТОПРИЕМНИК НА ОСНОВЕ ОДНОПЕРЕХОДНОГО ТРАНЗИСТОРА И ФОТОДИОДА
ФОТОПРИЙМАЧ НА БАЗІ ОДНОПЕРЕХІДНОГО ТРАНЗИСТОРА ТА ФОТОДІОДА
Авторы: Vikulin, I. M.
Kurmashev, Sh. D.
Nikiforov, S. N.
Panfilov, M. I.
Викулин, И. М.
Курмашев, Ш. Д.
Никифоров, С. Н.
Панфилов, М. И.
Вікулін, І. М.
Курмашев, Ш. Д.
Никифоров, С. Н.
Панфілов, М. І.
Дата публикации: 2008
Издатель: Астропринт
Источник: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Серия/номер: ;№ 17. - Р. 88 - 90.
Краткий осмотр (реферат): The generators on the base of the uni-junction photo-transistor (UPhT) are used as the sensor-photo-detectors with the frequency output. The semiconductor crystal of the n-type conductivity contains two Ohmic base contacts of the n+-type conductivity as well as the injection emitter in a form of p-n-junction (the region of the p+-type) with the electric contacts. The possibility to raise the linearity of the output signal and enlarge the sensitivity of the sensor on the base of UPhT was proposed through introduction of additional n+-region into p+-emitter. Генераторы на основе однопереходных фототранзисторов (ОФТ) используются в качестве сенсоров–фотоприемников с частотным выходом. Полупроводниковый кристалл n-типа проводимости содержит два омических базовых контакта n+- типа проводимости, а также инжектирующий эмиттерный p-n–переход (область p+-типа) с электрическими выводами. Показана возможность повысить линейность выходного сигнала и увеличить чувствительность датчика на основе однопереходного фототранзистора введением дополнительной n+–области в p+-эмиттер. Генератори на базі одноперехідних фототранзисторів (ОФТ) використовуються в якості сенсорів-фотоприймачів з частотним вихідом. Напівпровідниковий кристалл n-типу провідності містить два омічних базових контакти n+-типу провідності, а також інжектуючий емітерний p-n–перехід (область p+-типу) з електричними виводами. Показана можливість підвищення лінійністі вихідного сигналу та зростання чутливості датчика на базі ОФТ шляхом введення додаткової n+-області в p+- емітер.
Описание: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2008.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/295
Располагается в коллекциях:"Фотоэлектроника"

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
Fotoel_17_88-90.pdf68,91 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
View Statistics

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.

 

п╞пҐпЄп╣п╨я│ я├п╦я┌п╦я─п╬п╡п╟пҐп╦я▐ DSpace Software Copyright © 2002-2005 MIT and Hewlett-Packard - Обратная связь