DSpace О системе DSpace
україн русск eng
[Зарегистрироваться]
 

Repository at Odesa I.Mechnikov National University >
Фізичний факультет >
"Фотоэлектроника" >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/293

Название: WANNIER-MOTT EXCITON AND H, RB ATOM IN A DC ELECRIC FIELD: PHOTOIONIZATION, STARK EFFECT
Другие названия: ЕКСІТОН ВАН’Є-МОТТА І АТОМИ H, RB У ПОСТІЙНОМУ ЕЛЕКТРИЧНОМУ ПОЛІ: ШТАРК ЕФЕКТ
ЭКСИТОН ВАНЬЕ-МОТТА И АТОМЫ H, RB В ПОСТОЯННОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ: ШТАРК ЭФФЕКТ
Авторы: Ambrosov, S. V.
Khetselius, O. Yu.
Ignatenko, A. V.
Амбросов, С. В.
Хецеліус, О. Ю.
Ігнатенко, Г. В.
Амбросов, С. В.
Хецелиус, О. Ю.
Игнатенко, А. В.
Дата публикации: 2008
Издатель: Астропринт
Источник: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Серия/номер: ;№ 17. - Р. 84 - 87.
Краткий осмотр (реферат): A numerical calculation of the DC Stark effect for H, Rb atoms and Wannier-Mott exciton in an external uniform DC electric field is carried out within the operator Glushkov-Ivanov perturbation theory method. На підставі методу операторної теорії збурень Глушкова-Иванова виконано розрахунок Штарк-ефекту для атомів H, Rb та ехсітонів Ван’є-Мотта (напівпровідник Cu20) у однорідному електричному полі. На основе метода операторной теории возмущений Глушкова-Иванова выполнен расчет Штарк-эффекта для атомов H, Rb и экситона Ванье-Мотта (полупроводник Cu20) в однородном электрическом поле.
Описание: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2008.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/293
Располагается в коллекциях:"Фотоэлектроника"

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
Fotoel_17_84-87.pdf128,36 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
View Statistics

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.

 

п╞пҐпЄп╣п╨я│ я├п╦я┌п╦я─п╬п╡п╟пҐп╦я▐ DSpace Software Copyright © 2002-2005 MIT and Hewlett-Packard - Обратная связь