Obtaining and optical properties of ZnSe:Co films
Вантажиться...
Файли
Дата
2008
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Астропринт
Анотація
ZnSe:Co films were obtained by vacuum deposition. An optical density spectra in the region of 4-0.38eV are investigated. It is established,
that in ZnSe:Co films, as compared to ZnSe films, the absorption edge is displaced in lower energy region. Analogy of ZnSe:Co
films and crystals optical absorption spectra is established. The investigated lines of ZnSe:Co films absorption are caused by electrons
optical transitions from Co2+ ion basic condition level 4À2(F) on the excited states 4T1(P), 4T1(F) and
4T2(F) levels split with spin-orbit
interaction. Пленки ZnSe:Co были получены путем термического напыления в вакууме. Исследованы спектры оптической плотности
в области 4-0.38эВ. Установлено, что в пленках ZnSe:Co, по сравнению с пленками ZnSe, край поглощения смещается
в низкоэнергетическую область. Установлена аналогия спектров оптического поглощения пленок и кристаллов ZnSe:Co.
Исследуемые линии поглощения в пленках ZnSe:Co объясняются оптическими переходами электронов с уровня основного
состояния 4А2(F) иона Co2+ на расщепленные спин-орбитальным взаимодействием уровни возбужденных состояний 4T1(P),
4T1(F) и 4T2(F). Плівки ZnSe:Co були отримані шляхом термічного напилення в вакуумі. Досліджені спектри оптичної густини в області 4-
0.38еВ. Встановлено, що в плівках ZnSe:Co, в порівнянні з плівками ZnSe, край поглинання зміщується в низькоенергетичну
область. Встановлена аналогія спектрів оптичного поглинання плівок і кристалів ZnSe:Co. Досліджені лінії поглинання
плівок ZnSе:Co пояснюються оптичними переходами електронів з рівня основного стану 4А2(F) іона Co2+ на розщеплені
спін-орбітальною взаємодією рівні збуджених станів 4T (P), 4T (F) и 4T (F)
Опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2008.
Ключові слова
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics