Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/290
Title: Obtaining and optical properties of ZnSe:Co films
Other Titles: Получение и оптические свойства пленок ZnSe:Co
Отримання і оптичні властивості плівок ZnSe:Co
Authors: Vaksman, Yuriy F.
Nitsuk, Yuriy A.
Purtov, Yu. N.
Nasibov, A. S.
Shapkin, P. V.
Ваксман, Юрий Федорович
Ницук, Юрий Андреевич
Пуртов, Юрий Николаевич
Насибов, А. С.
Шапкин, П. В.
Ваксман, Юрій Федорович
Ніцук, Юрій Андрійович
Пуртов, Юрій Миколайович
Насібов, О. С.
Шапкін, П. В.
Citation: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Issue Date: 2008
Publisher: Астропринт
Series/Report no.: ;№ 17. - Р. 81 - 83.
Abstract: ZnSe:Co films were obtained by vacuum deposition. An optical density spectra in the region of 4-0.38eV are investigated. It is established, that in ZnSe:Co films, as compared to ZnSe films, the absorption edge is displaced in lower energy region. Analogy of ZnSe:Co films and crystals optical absorption spectra is established. The investigated lines of ZnSe:Co films absorption are caused by electrons optical transitions from Co2+ ion basic condition level 4À2(F) on the excited states 4T1(P), 4T1(F) and 4T2(F) levels split with spin-orbit interaction. Пленки ZnSe:Co были получены путем термического напыления в вакууме. Исследованы спектры оптической плотности в области 4-0.38эВ. Установлено, что в пленках ZnSe:Co, по сравнению с пленками ZnSe, край поглощения смещается в низкоэнергетическую область. Установлена аналогия спектров оптического поглощения пленок и кристаллов ZnSe:Co. Исследуемые линии поглощения в пленках ZnSe:Co объясняются оптическими переходами электронов с уровня основного состояния 4А2(F) иона Co2+ на расщепленные спин-орбитальным взаимодействием уровни возбужденных состояний 4T1(P), 4T1(F) и 4T2(F). Плівки ZnSe:Co були отримані шляхом термічного напилення в вакуумі. Досліджені спектри оптичної густини в області 4- 0.38еВ. Встановлено, що в плівках ZnSe:Co, в порівнянні з плівками ZnSe, край поглинання зміщується в низькоенергетичну область. Встановлена аналогія спектрів оптичного поглинання плівок і кристалів ZnSe:Co. Досліджені лінії поглинання плівок ZnSе:Co пояснюються оптичними переходами електронів з рівня основного стану 4А2(F) іона Co2+ на розщеплені спін-орбітальною взаємодією рівні збуджених станів 4T (P), 4T (F) и 4T (F)
Description: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2008.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/290
Appears in Collections:Photoelectronics

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Fotoel_17_81-83.pdf65.45 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.