DSpace О системе DSpace
україн русск eng
[Зарегистрироваться]
 

Repository at Odesa I.Mechnikov National University >
Фізичний факультет >
"Фотоэлектроника" >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/290

Название: OBTAINING AND OPTICAL PROPERTIES OF ZnSe:Co FILMS
Другие названия: ПОЛУЧЕНИЕ И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК ZnSe:Co
ОТРИМАННЯ І ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ПЛІВОК ZnSe:Co
Авторы: VAKSMAN, Yu. F.
NITSUK, Yu. A.
PURTOV, Yu. N.
NASIBOV, A. S.
SHAPKIN, P. V.
Ваксман, Ю. Ф.
Ницук, Ю. А.
Пуртов, Ю. Н.
Насибов, А. С.
Шапкин, П. В.
Ваксман, Ю. Ф.
Ніцук, Ю. А.
Пуртов, Ю. М.
Насібов, О. С.
Шапкін, П. В.
Дата публикации: 2008
Издатель: Астропринт
Источник: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Серия/номер: ;№ 17. - Р. 81 - 83.
Краткий осмотр (реферат): ZnSe:Co films were obtained by vacuum deposition. An optical density spectra in the region of 4-0.38eV are investigated. It is established, that in ZnSe:Co films, as compared to ZnSe films, the absorption edge is displaced in lower energy region. Analogy of ZnSe:Co films and crystals optical absorption spectra is established. The investigated lines of ZnSe:Co films absorption are caused by electrons optical transitions from Co2+ ion basic condition level 4À2(F) on the excited states 4T1(P), 4T1(F) and 4T2(F) levels split with spin-orbit interaction. Пленки ZnSe:Co были получены путем термического напыления в вакууме. Исследованы спектры оптической плотности в области 4-0.38эВ. Установлено, что в пленках ZnSe:Co, по сравнению с пленками ZnSe, край поглощения смещается в низкоэнергетическую область. Установлена аналогия спектров оптического поглощения пленок и кристаллов ZnSe:Co. Исследуемые линии поглощения в пленках ZnSe:Co объясняются оптическими переходами электронов с уровня основного состояния 4А2(F) иона Co2+ на расщепленные спин-орбитальным взаимодействием уровни возбужденных состояний 4T1(P), 4T1(F) и 4T2(F). Плівки ZnSe:Co були отримані шляхом термічного напилення в вакуумі. Досліджені спектри оптичної густини в області 4- 0.38еВ. Встановлено, що в плівках ZnSe:Co, в порівнянні з плівками ZnSe, край поглинання зміщується в низькоенергетичну область. Встановлена аналогія спектрів оптичного поглинання плівок і кристалів ZnSe:Co. Досліджені лінії поглинання плівок ZnSе:Co пояснюються оптичними переходами електронів з рівня основного стану 4А2(F) іона Co2+ на розщеплені спін-орбітальною взаємодією рівні збуджених станів 4T (P), 4T (F) и 4T (F)
Описание: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2008.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/290
Располагается в коллекциях:"Фотоэлектроника"

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
Fotoel_17_81-83.pdf65,45 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
View Statistics

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.

 

п╞пҐпЄп╣п╨я│ я├п╦я┌п╦я─п╬п╡п╟пҐп╦я▐ DSpace Software Copyright © 2002-2005 MIT and Hewlett-Packard - Обратная связь