DSpace О системе DSpace
україн русск eng
[Зарегистрироваться]
 

Repository at Odesa I.Mechnikov National University >
Фізичний факультет >
Фотоэлектроника = Photoelectronics >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/287

Название: CONSISTENT QUANTUM APPROACH TO QUARKONY ENERGY SPECTRUM AND SEMICONDUCTOR SUPERATOM AND IN EXTERNAL ELECTRIC FIELD
Другие названия: ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ КВАНТОВЫЙ ПОДХОД В ТЕОРИИ КВАРКОНИЯ И ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО СУПЕРАТОМА ВО ВНЕШНЕМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ
ПОСЛІДОВНИЙ КВАНТОВИЙ ПІДХІД У ТЕОРІЇ КВАРКОНІЮ ТА НАПІВПРОВІДНИКОВОГО СУПЕРАТОМУ У ЗОВНІШНЬОМУ ЕЛЕКТРИЧНОМУ ПОЛІ
Авторы: Khetselius, O. Yu.
Gurnitskaya, E. P.
Loboda, A. V.
Vitavetskaya, L. A.
Хецелиус, О. Ю.
Гурницкая, Е. П.
Лобода, А. В.
Витавецкая, Л. A.
Хецеліус, О. Ю.
Гурницька, О. П.
Лобода, А. В.
Вітавецька, Л. A.
Дата публикации: 2008
Издатель: Астропринт
Источник: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Серия/номер: ;№ 17. - Р. 129 - 131.
Краткий осмотр (реферат): The problems of calculation of the bound states energies for semiconductor superatom (spherical nucleus of some semiconductor material that is selectively doped by donors; it is surrounded by the intrinsic matrix from material with low band gap) and heavy quarkony in external strong electric field are considered. Ab initio effective potential approach in combination with the operator perturbation theory method is used in calculation. Рассмотрена проблема расчета энергий связан ных состояний систем: тяжелого кваркония и полупроводникового суператома (сферическое ядро полупроводникового материала, легирован ного донорами и окруженного беспримесной матрицей из материала с меньшей шириной запрещенной зоны) во внешнем сильном электрическом поле. Метод аb initio эффективного потенциала в комбинации с операторной теорией возмущений использован для расчетов. Розглянуто проблему розрахунку енергій зв’язаних станів систем: важкого кварконія та суператому (сферічне ядро впроводникового матеріалу, легірованого донорами та оточеного бездомішковою матрицею з матеріалу з меньшею шириною забороненої зони) у зовнішньому сильному електричному полі. Метод аb initio ефективного потенціалу у комбінації з операторною теорією збурень використано для розрахунків.
Описание: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2008.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/287
Располагается в коллекциях:Фотоэлектроника = Photoelectronics

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
Fotoel_17_129-131.pdf69,47 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
View Statistics

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.

 

п╞пҐпЄп╣п╨я│ я├п╦я┌п╦я─п╬п╡п╟пҐп╦я▐ DSpace Software Copyright © 2002-2005 MIT and Hewlett-Packard - Обратная связь