Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/284
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorSmyntyna, Valentyn A.-
dc.contributor.authorKulinich, O. A.-
dc.contributor.authorGlauberman, Mykhailo A.-
dc.contributor.authorChemeresiuk, Heorhii H.-
dc.contributor.authorYatsunskiy, I. R.-
dc.contributor.authorСмынтына, Валентин Андреевич-
dc.contributor.authorКулинич, О. А.-
dc.contributor.authorГлауберман, Михаил Аббович-
dc.contributor.authorЧемересюк, Георгий Гаврилович-
dc.contributor.authorЯцунский, Игорь Ростиславович-
dc.contributor.authorСминтина, Валентин Андрійович-
dc.contributor.authorКулініч, О. А.-
dc.contributor.authorГлауберман, Михайло Абович-
dc.contributor.authorЧемересюк, Георгій Гаврилович-
dc.contributor.authorЯцунський, Ігор Ростиславович-
dc.date.accessioned2010-09-10T08:57:19Z-
dc.date.available2010-09-10T08:57:19Z-
dc.date.issued2008-
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttp://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/284-
dc.descriptionФотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2008.uk
dc.description.abstractThe near-surface silicon layers in silicon – dioxide silicon systems with used modern method of research are investigated. It is shown that these layers have compound structure and their parameters depend on oxidation and initial silicon parameters. В данной работе на основе проведенных с помощью современных методов исследования показана сложная структура приповерхностных слоев кремния в системах кремний – диоксид кремния. Выявлены зависимости параметров этих слоев от условия оксидирования и характеристик первоначального кремния. В роботі на основі проведених за допомогою сучасних методів досліджень приповерхневих шарів кремнію в системах кремній – діоксид кремнію показано їх складна структура. Показано залежність розмірів ціх шарів від параметрів окислення та характеристик кремнію.uk
dc.language.isoenuk
dc.publisherАстропринтuk
dc.relation.ispartofseries;№ 17. - Р. 61 - 63.-
dc.titleTHE STRUCTURE INVESTIGATION OF NEAR-SURFACE LAYERS IN SILICON – DIOXIDE SILICON SYSTEMSuk
dc.title.alternativeИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЕВ КРЕМНИЯ В СИСТЕМАХ КРЕМНИЙ – ДИОКСИД КРЕМНИЯuk
dc.title.alternativeДОСЛІДЖЕННЯ СТРУКТУРИ ПРИПОВЕРХНЕВИХ ШАРІВ КРЕМНІЮ В СИСТЕМАХ КРЕМНІЙ – ДІОКСИД КРЕМНІЮuk
dc.typeArticleuk
Appears in Collections:Photoelectronics

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Fotoel_17_61-63.pdf237.65 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.